6770_力積電（市）
基本資料
力積電（PSMC，Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation）是台灣規模最大的 DRAM 晶圓代工廠，前身為力晶半導體，歷經 2010 年前後 DRAM 產業洗牌後轉型為純代工模式。公司採「Open Foundry」理念，允許客戶沿用既有製程平台與品管政策直接導入，產品平台分為記憶體（DRAM）和邏輯（PMIC、RF 邏輯等）兩大主軸，並於近年設立第三支柱「3D AI Foundry」。
主要產品/服務：
- DRAM 晶圓代工：台灣 Legacy DRAM 代工市佔率超過 71%，競爭對手逐步退出，接近壟斷地位；記憶體佔營收 >50%（2026Q2）
- 邏輯 IC 代工：PMIC（電源管理 IC，成長中最大宗）、DDIC（逐步 EOL）、RF 邏輯；logic 8”/12” 2026H1 漲價 10-15%
- 3D AI Foundry：Wafer-on-Wafer 堆疊、IPD（矽中介層元件）、Si Capacitor（目前主力，Intel EMIB 主用）、PWF（與 MU.US(micron) 合作）、Interposer
財務概況（資料來源：2026-06-29 法說）：
- 2025 年全年營業額：NT$472 億
- 2026 年全年預估成長：>50%（預估 NT$700 億以上）
- 2026Q1 本業獲利：約 NT$5 億，第二季起增量幾乎全數轉為利潤
- 2025 年出貨量：163 萬片（12 吋等量換算）
產能與稼動率：
- 5 座晶圓廠（2 座 8 吋、3 座 12 吋），位於新竹科學園區
- 12 吋廠稼動率 90% 以上，8 吋廠已由 80% 提升至 90% 以上
供應鏈位置：介於 DRAM 設計客戶與 OSAT 封測廠之間的晶圓代工角色；在 3D AI 業務中同時扮演 Interposer 供應商角色，連接 AI 晶片與先進封裝生態系。
資料來源：活動_力積電法說_20260629（2026-06-29，發言人譚仲明）
核心技術／競爭優勢
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Legacy DRAM 代工壟斷：國內唯一仍大規模經營 DRAM 代工的廠商，市佔率超過 71%，同業相繼退出後形成實質壟斷，客戶黏著度高、定價能力強。
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Open Foundry 模式的差異化：允許客戶將自有製程、QA 政策、品管標準直接移植至力積電廠內，相當於客戶「自有產線」的延伸，降低客戶切換成本亦降低競爭威脅，與聯電等傳統 Foundry 形成差異。
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3D AI Foundry 的技術堆疊：
- Wafer-on-Wafer：4 片堆疊已完成驗證，8 片堆疊開發中
- IPD（In-Package Device）：月產超過 1,000 片，採 38nm DRAM 製程，與大型客戶合作驗證嚴格
- Interposer：月產超過 2,000 片，擴產至 5,000 片計畫中
- PWF（Partial Wafer Foundry）：與 MU.US(micron) 簽訂至 2030 年長期合約，美光預付 3 億美元購置設備，力積電以晶圓/代工費攤還，預計 2027Q2-Q3 量產
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美光深度合作：P5 廠（Tongluo 廠）已售予美光，設備移至 P1、P2 廠進行技術移轉，引入 Hybrid Bonding、Hyperbonding 等次世代技術，築起技術壁壘。
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高毛利產品組合轉型：3D AI 業務毛利率高、PMIC 毛利率優於 DDIC，組合持續往高利潤方向移動，DDIC 逐步 EOL；Si Capacitor 為當前 3D AI 最大營收貢獻（1-2k wfpm，Intel EMIB 主用）。
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記憶體製程技術升級路線圖（JPM 2026-07-14）：
- 1X 製程：自研，2026年6月已 ready
- 1P 製程：美光技術移轉，2028年中 ramp；ASP 較現有製程高 1.5-2x
- PWF mini-line：目標 YE26 完成，4Q27 量產（美光預付款涵蓋）
產品與應用
| 產品 / 服務 | 應用 | 相關客戶 / 下游 |
|---|---|---|
| DRAM 晶圓代工（Legacy DRAM） | 工業控制、消費性電子記憶體 | 中小型 DRAM 設計公司、大陸 AI 廠商 |
| PMIC 晶圓代工 | AI 伺服器電源管理、工業電源 | AI 伺服器 ODM/OEM、工業電子廠 |
| Interposer 製造 | AI GPU/ASIC 先進封裝基板 | AI 晶片設計客戶、供應鏈_先進封裝載板 生態系 |
| IPD（In-Package Device） | HBM 封裝、AI 加速器 | 記憶體 IDM、AI 晶片廠商 |
| PWF（Partial Wafer Foundry） | HBM 堆疊關鍵元件 | MU.US(micron) |
| Wafer-on-Wafer 堆疊 | 3D AI 晶片、HBM next-gen | AI 晶片廠商 |
| DDIC 晶圓代工（EOL 進行中） | 面板驅動 IC | 面板廠、DDIC 設計公司 |
圖片 / 架構圖
graph LR A[DRAM 設計客戶] --> B[[6770_力積電（市）]] C[PMIC 設計客戶] --> B D[AI 晶片廠商] --> B B --> E[OSAT 封裝] B --> F[Interposer 供應] B --> G[PWF 晶圓] MU[[MU.US(micron)]] -.PWF 技術授權 / 長期合約至2030.-> B B -.-> SC[[供應鏈_先進封裝載板]]
力積電「Open Foundry」模式下，同時承接 DRAM 代工、邏輯代工及 3D AI 封裝相關製造，與美光深度合作是 PWF/HBM 業務成長關鍵路徑。
EPS 記錄
| 季度/年度 | 實際 EPS（NT$） | 備註 |
|---|---|---|
| 2025A | (1.87) | FY25 虧損；記憶體代工仍未出坑 |
| 2026Q1A | 3.36 | 漲價效應開始顯現（含銅鑼廠售予美光一次性利益） |
| 2026Q2A | 0.78 | +27% QoQ 營收；GM 28.3%（+18ppt QoQ） |
注意：2026Q1 EPS NT3.11。
EPS 預估
| 年度/季度 | JPM EPS（NT$） | JPM 前估 | 毛利率 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026Q3E | 1.10 | 1.09 | 37.9% | |
| 2026Q4E | 1.50 | 1.29 | 43.2% | +45% 記憶體結構性漲價流入 |
| 2027Q1E | 1.62 | 1.47 | 45.2% | |
| FY2026E | 6.61 | 6.41 | 32.3% | 含 Tongluo 一次性利益；recurring 3.11 |
| FY2027E | 7.16 | 6.52 | 47.0% | YoY+130%（recurring base） |
| FY2028E | 8.40 | 7.74 | 49.9% | 歷史峰值 51% 約 2028 中期可超越 |
GM 路線圖：YE26 ~43% → YE27 ~48% → 2028 中期 >51%（突破歷史峰值）
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026Q2 | 記憶體結構漲價（Jul 再漲 ~45%）確認 | 業績超預期 | ⭐⭐⭐ | GM 28.3%（+18ppt QoQ），強於預期；4Q26 加速浮現 |
| 2026 全年 | 預估營收 NT$75,138M（+61% YoY，JPM） | 業績催化 | ⭐⭐⭐ | 記憶體代工佔比 >50%，結構性漲價延伸至 27 年 |
| 2026Q2 | 3D AI 業務達 5%+ 營收 | 結構轉型 | ⭐⭐⭐ | 1Q26 3%，2025 全年 2-3%；目標 3 年內達 20% |
| 2026 年底 | 1X 製程（自研）ready → 已於 2026-06 完成 | 技術里程碑 | ⭐⭐ | 製程升級前哨，為 1P 技術轉移鋪路 |
| YE26 | PWF mini-line 目標建成 | 產能擴張 | ⭐⭐⭐ | Micron 預付款設備；4Q27 目標量產 |
| YE27 | Si Capacitor 達 8-10k wfpm | 產能擴張 | ⭐⭐⭐ | 目前 1-2k，2028 可達 15-20k；Intel EMIB 主用 |
| 2027 | Interposer 5-6k wfpm（從 P5 遷入）上線 | 新業務放量 | ⭐⭐ | CoWoS 供給吃緊帶動外溢需求 |
| 2028 中 | PWF 量產 + GM 超越歷史峰值 51% | 利潤升級 | ⭐⭐⭐ | 1P 製程（美光技術移轉）同步放量 |
| 2027Q2-Q3 | PWF 量產（修正自原預估 2027Q2-Q3） | 新業務放量 | ⭐⭐⭐ | JPM 最新為「4Q27」量產 |
| 2027-2028 | 3D AI 業務佔比達 20%+ | 結構轉型 | ⭐⭐⭐ | 1Q26 開始 5%+；Si Cap + Interposer + PWF 三線驅動 |
供應鏈位置
- 上游：晶圓設備商（ASML.NL(asml)、AMAT 等）、化學品、光罩
- 技術合作夥伴：MU.US(micron)（PWF 技術授權、設備預付、長期合約至 2030）、日本 Renesas（早期 DDIC 技術淵源）
- 下游：OSAT 封測廠、記憶體模組廠、AI 伺服器 ODM/OEM
- 所屬供應鏈：供應鏈_先進封裝載板（Interposer/IPD 角色）
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| MU.US(micron) | 技術合作夥伴 / 客戶 | PWF 長期合約至 2030、預付 3 億美元設備費；P5 廠（Tongluo 廠）已售予美光；1P 製程技術移轉 |
| INTC.US(intel) | 客戶 | Si Capacitor wafer 主要供 Intel EMIB 使用；目前 1-2k wfpm |
| 2330_台積電（市） | 競爭/外溢需求 | TSMC CoWoS 供給吃緊 → Interposer 需求外溢至 PSMC |
風險與注意事項
- 代工 vs IDM 時間差：力積電為純代工，獲利落後 IDM 同業（Samsung、Micron 等），不可直接比較毛利率；景氣下行時收入更脆弱
- 地緣政治雙刃劍：美國 AI 客戶可能迴避含中國元件的供應鏈；同時對大陸 AI 客戶的出口管制風險需持續追蹤
- 3D AI 業務集中風險：PWF 幾乎全押美光單一客戶；若美光 HBM 策略轉向或合約未續，業務缺口難以短期填補
- 晶合集成持股風險：因兩岸局勢與財務考量，無法增資大陸晶合集成，若晶合估值或業務出現問題，帳面影響需注意
- 員工分紅攤薄：獲利回升後提列員工分紅及董監酬勞，約 10-15% 利潤被提列，EPS 成長幅度低於本業獲利成長
目標價與評等
| 券商 | 日期 | 評等 | 目標價 | 評價基礎 | 來源 |
|---|---|---|---|---|---|
| JPM | 2026-07-14 | Overweight | NT$100（Jun-27） | 13x 12M forward（調低 1 档，因近期記憶體情緒偏弱） | 報告_JPM_力積電_20260714 |
來源
- 報告_JPM_力積電_20260714（JPM，2026-07-14，Gokul Hariharan；OW 維持 TP NT$100；EPS 上修 26E→6.61 / 27E→7.16 / 28E→8.40；GM 路徑 32%→47%→50%；Si Cap + 1X/1P + PWF 三線長期驅動）
- 活動_力積電法說_20260629（2026-06-29，來源類型：法說/法人說明會，信心水準：高）