MU.US(micron)
基本資料
Micron Technology 是全球三大 DRAM/NAND Flash 製造商之一（另兩家：三星、SK Hynix）。在 AI 時代，Micron 的 HBM（High Bandwidth Memory）成為 GPU/AI 加速器的標配，2026 年 FY26 Q3 業績創歷史紀錄，揭示 AI 記憶體的「稅率效應」——AI 相關事業毛利率遠高於傳統記憶體業。
資料來源：research_simpletechtrend_CPO矽光子ECTC2026_20260629（2026-06-29，STT W26 市場洞察）
核心技術／競爭優勢
HBM4（NVIDIA Vera Rubin）
- HBM4 自 2026 年 3 月起為 NVIDIA Vera Rubin 量產出貨
- 爬坡速度是 HBM3E 12-high 的 兩倍
- HBM4 每顆 GPU/加速器 記憶體頻寬大幅提升
FY26 Q3 財報（2026-06-24，法說；史上最佳）
| 指標 | FY26 Q3 | YoY | QoQ |
|---|---|---|---|
| 總營收 | USD 41.5B（415億） | +346% | +74% |
| DRAM 營收 | USD 31.3B（313億） | +343% | +67% |
| NAND 營收 | USD 9.9B（99億） | +361% | +99% |
| CMBU（雲端記憶體事業部） | USD 13.8B（138億） | — | — |
| CDBU（核心資料中心事業部） | USD 11.5B（115億） | — | — |
| MCBU（行動與客戶事業部） | USD 11.5B（115億） | — | — |
| AEBU（汽車與嵌入式事業部） | USD 4.6B（46億） | — | — |
| 合併毛利率 | 84.9% | 毛利翻倍+ | +10 pp |
| 營業利益率 | 81.2% | +54 pp | +12 pp |
| EPS（non-GAAP diluted） | USD 25.11 | — | +106% |
FY26 Q4 指引（2026-06-24 法說）：
- 營收：USD 50B（±10億），毛利率 ~86%，EPS ~USD 31（±1）
策略客戶協議（SCA）
- 已簽訂 16 份 SCA，涵蓋約 20% DRAM 及 1/3 NAND 產量
- 累計底價（以底價計）：約 USD 100B（1,000億美元）
- 已收到現金存款及財務承諾 USD 22B（其中 USD 18B 現金存款）
- SCA 通常五年（汽車三年）；底價毛利率遠超過去任何週期高峰
- 預計完全執行後涵蓋約一半以上營收
圖片 / 架構圖
圖說：UBS 報告的 Micron HBM 與一般 DRAM 價格/獲利比較，顯示 HBM4/HBM4E 緊繃度高於先前預期。
flowchart LR A[Micron HBM4<br/>量產 2026-03 起<br/>爬坡 2× HBM3E 速度] --> B[NVIDIA Vera Rubin<br/>GPU 系統] C[雲端記憶體<br/>USD 13.8B<br/>毛利率 83%] --> D[AI 資料中心] E[核心資料中心<br/>USD 11.5B<br/>毛利率 87%] --> D D --> F[AI 兩事業群<br/>>USD 25B<br/>毛利率 80%+]
[待補來源圖] 需官方 FY26 Q3 法說截圖或 HBM4 產品技術圖佐證；上方為自製 HBM4 供應鏈示意圖。
產品與應用
| 產品 / 服務 | 應用 | 相關客戶 / 下游 |
|---|---|---|
| HBM4 | AI GPU 高頻寬記憶體 | NVDA.US(nvidia) Vera Rubin |
| HBM3E | AI GPU | NVIDIA、AMD Instinct |
| 雲端 DRAM | 資料中心一般 DRAM | 雲端大廠 |
| NAND Flash | SSD / 企業儲存 | 廣泛 |
EPS 記錄
| 季度 | 總營收 | EPS（non-GAAP） | 毛利率 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| FY26 Q4（指引） | USD 51.0B | ~USD 31.59 | ~86% | 2026-06-24 法說指引；較 consensus $43.1B 大幅超預期 |
| FY26 Q3 | USD 41.5B | USD 25.12（+106% QoQ） | 84.9% | 史上最佳；vs JPM pre-call est. 5.88/share |
| FY26 Q2 | USD 23.9B | USD 12.20 | 74.4% | |
| FY26 Q1 | USD 13.6B | USD 4.78 | 56.7% |
JPM 全年預估（FYE Aug，FY26E → FY27E）
| 指標 | FY25A | FY26E | FY27E |
|---|---|---|---|
| 營收（$M） | 37,310 | 130,002 | 251,402 |
| YoY | +48.6% | +248.4% | +93.4% |
| Adj. EPS（$） | 8.23 | 73.69 | 153.65 |
| Adj. EPS（前次） | — | 58.84（+25.2%上調） | — |
| GM%（non-GAAP） | 40.8% | 80.7% | 85.0% |
| EBIT margin | 26.0% | 75.2% | 81.7% |
| Adj. FCF ($M) | 3,605 | 52,169 | 120,132 |
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-03 | HBM4 開始為 NVIDIA Vera Rubin 量產出貨 | 出貨 | ⭐⭐⭐ | 爬坡速度 2× HBM3E 12-high |
| 2026-06-24 | FY26 Q3 法說；創紀錄財報 | 財報 | ⭐⭐⭐ | 毛利率 84.9%，EPS 25.11 |
| 2026 H2 | 新加坡先進封裝卓越中心開始貢獻 | 產能 | ⭐⭐ | 2027 H1 重要產能貢獻 |
| 2026-12-09 | CHIPS 協議簽署兩週年；開始逐步返還多餘現金 | 股利 | ⭐⭐ | |
| 2027 H1 | 台灣桐廬廠（30萬平方英尺）重要產品出貨 | 產能 | ⭐⭐⭐ | 較原計劃提前約一季 |
| 2027 H1 | 新加坡先進封裝高量產產能貢獻 | 產能 | ⭐⭐ | |
| 2027 H2 | 美國 Idaho ID1 晶圓廠首片晶圓 | 產能 | ⭐⭐ | |
| 2027 H2 | 下一代 DRAM/NAND 節點量產 | 技術 | ⭐⭐⭐ | 1-delta / G10 節點 |
| 2028 末 | 美國 Idaho ID2 晶圓廠首片晶圓 | 產能 | ⭐⭐ | |
| 2028 後 | DRAM/NAND 產業供應逐步改善 | 產業 | ⭐⭐ | 目前缺乏明確可見度 |
供應鏈位置
- AI 加速器客戶：NVDA.US(nvidia)（HBM4 主供）、AMD.US(amd)
- 晶圓代工：自有 IDM 製程（Boise, Idaho；台灣桐廬；新加坡）
- 上游設備：ASML.NL(asml)（多年期 EUV 供應協議，支持 One Delta 節點）
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| NVDA.US(nvidia) | 主要客戶 | HBM4 for Vera Rubin GPU 系統 |
| AMD.US(amd) | 客戶 | HBM for Instinct |
| 2330_台積電（市） | 無直接製造關係 | Micron 為自有 IDM；TSMC 為競品客戶代工 |
| ASML.NL(asml) | 上游設備 | 多年期 EUV 供應協議（One Delta 節點） |
風險與注意事項
- 週期性：SCA 提供底價保護，但 NAND/DRAM 長期供需在 2028 後仍不確定；一旦供應追上需求，毛利率壓縮風險顯著
- 資本支出密集：全球 IDM 擴廠（Idaho、紐約、台灣、新加坡）需持續巨額投資，若需求放緩將影響 FCF
- 地緣政治：台灣桐廬廠依賴台灣製造；指引中未包含任何貿易/地緣政治發展影響（法說明確聲明）
- SCA 集中風險：16 份 SCA 涵蓋大部分產量；若主要 SCA 客戶需求萎縮，影響有限緩衝空間
目標價與評等
| 券商 | 報告日 | 評等 | 目標價 | 評價基礎 | 來源 |
|---|---|---|---|---|---|
| J.P. Morgan | 2026-06-25 | OW（維持） | USD $1,540（Dec-27） | 10× 10-yr median P/E × FY28E EPS $154 | 報告_JPM_Micron美光_20260625 |
JPM 關鍵觀點（2026-06-25 post-earnings）：
- 最重要的進展：SCA 從 1 份擴到 16 份（4 大客戶 + 3 中型 + 小型汽車），底價合計 ~$100B cumulative revenue，底價毛利率「遠超過去任何週期高峰」（vs 前次週期峰值 GM ~62%）
- FY26 capex 提高至 ~40B level（支持 CY28+ 供應擴增）
- 資本返還：Dec 9, 2026（CHIPS Act 協議 2 週年）後，100% 超額現金以庫藏股方式返還股東
- HBM TAM：提前至 CY27 就「輕鬆超過 129B
- 供需緊張延伸：從前次預期 beyond CY26 延伸至 beyond CY27
沿革
- Bernstein 報告_Bernstein_SanDisk_20260630（2026-06-30）：MU 的 SCA 地板價估 CQ2’26 的 ~50% 以下（vs SNDK 100B、現金 4B，財務覆蓋率 ~22%。MU 地板毛利率「遠超過去任何週期高峰 61%」。
- J.P. Morgan 報告_JPM_Micron美光_20260625（2026-06-25）：OW，PT 550），FY26E EPS 153.65；16份SCA底價 ~100B+
- MS 260702_ms_nand-industry（2026-07-02）維持 OW；美光為 KV SSD 主要供應商之一，DRAM/NAND 供需俱佳，<10x P/E 具評價空間、2027 有意義庫藏股。
- 大和 大和 韓國記憶體產業電話會議摘要（2026-07-02）：美光 3QFY26 優預期 20%+，3–5 月 DRAM ASP +low 60s% QoQ、NAND +85% QoQ，下季 GM 指引 86%；HBM4 營收約 $1b、2025 底 HBM 市占達 20% 後維持。
- 產業定位詳見 供應鏈_記憶體、分析_記憶體超級循環2026、技術_HBM高頻寬記憶體、技術_NAND快閃記憶體。
來源
-
報告_UBS_Micron_HBM供需_20260810 — UBS，2026-08-10；2027E 業界 HBM ASP 年增估值 79%、HBM4E >US$30/GB（estimate／中信心）
-
報告_JPM_Micron美光_20260625（J.P. Morgan，2026-06-25；OW PT 73.69；16份SCA底價 100B+；Dec 2026後資本返還）
-
260702_ms_nand-industry（摩根士丹利，2026-07-02；OW、KV SSD、NAND 供需模型）
-
大和 韓國記憶體產業電話會議摘要（大和，2026-07-02；美光 ASP/GM/HBM 市占）
-
research_simpletechtrend_CPO矽光子ECTC2026_20260629（FY26 Q3 財報數據，2026-06-29，次要來源）
-
活動_Micron法說_20260624（FY26 Q3 法說逐字稿，2026-06-24，一手來源）