技術_800VDC供電架構

定義

800VDC 是 Nvidia 主導推動的 AI 機櫃供電架構：隨機櫃功率快速攀升，把電力集中以更高電壓輸送、盡量靠近 compute tray 才降壓，以減少轉換損耗與線路損耗。它與 hyperscaler 自行推動的 ±400VDC（HVDC） 是不同的兩件事——後者是雲端廠為自家 ASIC 部署的高壓直流架構，目的同樣是集中供電、避開 UPS 的 AC-DC-AC 轉換損耗。

800VDC ≠ 400VDC

400VDC（±400V HVDC）由 hyperscaler 推動、主要服務自家 ASIC，2H26 照計畫進行；800VDC（Nvidia 單端）量產則被推遲。兩者常被混為一談，但時程與推手不同。

圖解

來源報告無實質供電架構圖（僅頁首裝飾），以下用 Mermaid 補架構：

flowchart LR
    GRID["市電 / 併網<br/>350-450VDC"] --> UP["升壓<br/>→ 800VDC"]
    UP --> DOWN["降壓<br/>→ 50VDC"]
    DOWN --> TRAY["Compute Tray<br/>VRM 8V/12V → sub-1V @GPU"]
    GRID -. hyperscaler 路線 .-> S400["±400VDC HVDC<br/>(sidecar, 2H26 on track)"]
    S400 --> TRAY
    classDef hv fill:#ffd8a8,stroke:#333
    classDef core fill:#a5d8ff,stroke:#333
    class GRID,UP,DOWN hv
    class TRAY,S400 core

hyperscaler 的質疑：把市電 350–450VDC 升到 800VDC 再降回 50VDC 餵 compute tray「效率不佳」，傾向用更高電壓直送、靠近 tray 再降壓。

技術原理

• 驅動力：機櫃功率上升、集中式供電、降低轉換損耗（把降壓拉近 compute tray）。
• 何時非 800V 不可：當 GPU compute tray 輸入要求 800VDC 時。Rubin 仍用 50VDC；Rubin Ultra / Feynman 才較可能必要——Rubin Ultra/Oberon 的 compute tray 預期超過 15kW TDP，原生 HVDC 分電在極高功率下才有說服力。
• 板級供電鏈不受影響：VRM smart power stage 把 8V/12V 降到 GPU die 的 sub-1V，這段無論上游是 AC、400V 或 800V 都一樣。

關鍵參數 / 判斷指標

指標	意義	觀察重點
compute tray TDP	決定是否需要原生 HVDC	Rubin Ultra/Oberon >15kW
轉換級數與損耗	多一次升降壓即多一次損耗	800V 升降回 50V 的效率爭議
WBG 含量	800V 才是寬能隙真正放量點	SiC/GaN vs Si superjunction

技術瓶頸 / 風險

• hyperscaler 對 Nvidia 單端 800VDC 有 pushback（Rubin 世代有多種供電選項，800V 非必要）。
• Rubin Ultra 設計今年稍晚才定案，導入存在不確定性。

資訊衝突：800VDC 時程（機構自我修正）

• SemiAnalysis 先前觀點：視 800VDC 為 2027 的故事。
• 報告_Semianalysis_CPOand800VDC_20260609（報告日：2026-06-09）：量產推遲到 2028+；2H26/2027 滲透率低（Vera Rubin 不需要）；原本要由 Rubin Ultra/Kyber 帶動的 sidecar 量移到 2028 視窗。
• 狀態：屬技術導入推遲、非取消；400VDC sidecar 仍 2H26 接單、1Q27 量產。

關鍵廠商

環節	廠商	角色（June note 讀法）
電源機櫃 / sidecar	VRT.US(vertiv)	中性偏正：800V 延後延長其大型 UPS 業務壽命
板級被動 / MLCC	—	MLCC 隨機櫃 TDP 線性成長

電源機櫃（未建頁）：台達電 2308.TW、光寶科 2301.TW（sidecar/power rack 轉型照走，延後視為中性）。Grey-space 電氣設備（未建頁，轉正面）：Fortrend/FPS、Legrand、Schneider、Hammond Power、ABB——800V 延後反而延長低壓變壓器/開關/busway 內容。板級 VRM / 功率半導體（未建頁，架構中立受惠）：Infineon（跨 Si/SiC/GaN，定位最佳）、MPS、Renesas、Vishay、TXN、ON。被動元件（未建頁）：Murata、三星電機、國巨 2327.TW、TDK。寬能隙純玩家（未建頁，轉負面）：Wolfspeed、Navitas——800V 是 WBG 含量真正起飛點，延後使其近期缺乏催化劑。

技術演進時程

gantt
    title HVDC / 800VDC 導入節奏（SemiAnalysis 2026-06 觀點）
    dateFormat YYYY
    section 400VDC (HVDC, hyperscaler ASIC)
    sidecar 接單 / 1Q27 量產 :active, 2026, 2028
    section 800VDC (Nvidia 單端)
    原預期 2027（已修正）    :done, 2027, 2028
    量產推遲                 :2028, 2030

應用場景

• AI 機櫃集中式高壓供電（Rubin Ultra / Kyber 等高功率機櫃）
• hyperscaler 自家 ASIC 的 ±400VDC sidecar 部署

相關技術

• 技術_CPO（2026-06 同一份報告重設的兩大題材，定位呈鏡像翻轉）

來源

• 報告_Semianalysis_CPOand800VDC_20260609（800VDC Pushout & CPO Delays，2026-06-09）