4971_IET-KY — 英特磊科技
基本資料
| 項目 | 內容 |
|---|
| 全名 | 英特磊科技股份有限公司（IET-KY） |
| 代號 | 4971（TWSE 上市） |
| 設立 | 2011年4月26日 |
| 營運主體 | 美國德克薩斯州 |
| 定位 | 全球InP、GaSb磊晶代工領導廠；採用MBE技術 |
業務概況
- 核心技術：MBE（分子束磊晶，Molecular Beam Epitaxy）— 精度高但成本較MOCVD高
- 具備「基板到磊晶」垂直整合能力（vs 全新2455的MOCVD路線）
- 主要材料系統：InP（磷化銦）/ GaAs（砷化鎵）/ GaSb（銻化鎵）
產品與應用
| 材料 | 主要用途 |
|---|
| InP磊晶片 | 800G/1.6T光模組PD（光偵測器）、EML雷射 |
| GaAs磊晶片 | 無線通訊（HEMT/mHEMT）、VCSEL（100G/200G） |
| GaSb磊晶片 | 軍事/國防紅外線感測 |
| VCSEL磊晶片 | AOC/資料中心短距應用 |
| GaN（次要） | AI資料中心電源轉換（GaN-on-InP二次長晶） |
圖片/架構圖
[待補來源圖] 需官方 IR InP／GaAs 磊晶片或晶片產品圖佐證，現有研究筆記不足以支撐架構示意圖。
3Q25 財務數據（2025年7-9月）
| 項目 | 數值 |
|---|
| 營收 | NT$2.52億（+5.47% QoQ, +69.75% YoY） |
| 毛利率 | 31.67%（-2.78 ppts QoQ；+14.89 ppts YoY） |
| 營業利益 | NT$0.34億（+262.7% YoY） |
| 稅後淨利 | NT$0.30億（+165.5% YoY） |
| 單季EPS | NT$0.75 |
3Q25 產品組合
- GaAs磊晶片 26.9%
- InP磊晶片 43.1%（核心成長動能）
- GaSb + 勞務收入 28.6%
- 其他 1.4%
InP業務關鍵細節
基板供應危機
- InP基板嚴重供應緊張，客戶改採consign方式（客戶自提基板、IET做代工）
- Consign模式：營收減少但成本控制更好（僅磊晶代工費）
- 德國供應商預計2026年2月起大幅增產 → 緊缺逐步緩解
主力客戶C（推測為Coherent）
- 6吋InP：德州廠已投產；IET供應Coherent德州廠（非瑞典廠）
- 6吋InP PD：2025年10月出貨量相較先前翻倍；全部採consign
- 客戶計畫未來12個月InP整體產能翻倍
- 3吋線仍滿載，3”/4”/6”互不混用（基板規格不同）
2026年展望
- 200G PD：預期2026年出貨量倍數增加（4”/6”並行）
- 1.6T模組市場共識2025→2026年出貨從200萬顆→2,000萬顆；PD需求對應爆發
- 4吋基板：客戶也部分採consign
產能擴充計畫
| 行動 | 說明 |
|---|
| 8台×6吋機台轉用途 | 原GaAs機台改做InP，相當於新增兩台4×6吋InP機台 |
| 新增7×6吋機台 | 2026年計畫採購 |
| 現有4台4×6吋機台 | 若達24小時生長，可大幅提升產能（目前未達24h） |
| 廠房擴建 | 今年動工，受消防局/建築執照等延誤 |
其他業務
- GaAs VCSEL：100G產品達客戶預期；200G持續研發驗證中
- GaSb（軍用）：需求穩定；受美國政府關門短暫影響
- MBE機台銷售：機台訂單按完工比例認列收入；多家客戶詢問採購/產能承包
- GaN：部分客戶完成認證；第2台自用GaN MBE安裝完成測試中
- QD Laser：已達量產狀態（2026年下半年開始貢獻營收）
政府補助
- 德州晶片法案：已開始請款，收到第一筆
- 聯邦CHIPS法案：政府重啟後繼續談判，預計2026年完成
同業比較
| 項目 | IET-KY（4971） | 全新（2455） |
|---|
| 技術 | MBE（精度高，成本高） | MOCVD（速度快，成本低） |
| InP PD市占 | 6吋Coherent主要供應商 | 800G PD全球~80%市占 |
| 基板策略 | Consign為主（客戶提供） | 自採+Consign並行 |
| 晶圓尺寸 | 2”/3”/4”/6” | 2”→3”過渡中 |
券商追蹤
| 券商 | 評等 | 報告日 |
|---|
| 中信投顧（CTBC） | 未評等（NR） | 2025-11-14 |
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