技術_銦行業
來源：中郵證券〈AI需求爆發，銦資源亟待重估——銦行業專題報告〉2026-05-25
銦的基本特性
- 元素符號：In；原子序數49；銀白略帶淡藍色軟質金屬
- 極強可塑性與延展性；可壓製成極薄片狀
- 主要來源：原生銦（鋅冶煉副產品）+ 再生銦（廢ITO靶材等）
- 原生銦幾乎全來自閃鋅礦冶煉伴生
供給結構
全球精銦產量
| 年份 | 全球精銦（噸） | 原生銦（噸） |
|---|
| 2022 | 2,280 | 1,041 |
| 2023 | 2,342 | 1,069 |
| 2024 | 2,530 | 1,116 |
| 2025 | 2,682 | 1,150 |
| 2026E | 2,785 | — |
| 2027E | 2,880 | — |
- 中國：最大原生銦生產國，佔全球>70%；2025年原生441噸
- 原生銦增量受限：鋅冶煉虧損、高耗能管控、伴生礦品位下降
高純銦供應壁壘
- 6N以上：需精密提純（真空蒸餾法+區域熔煉法），設備高度定製，客戶認證壁壘高
- 7N+：6吋以上InP基板必需；海外領先（Dowa、Rasa）
| 企業 | 純度 | 說明 |
|---|
| Dowa（日本） | 6N+ | 2006年從Dowa Mining分拆；高純銦市占高 |
| Rasa（日本） | 6N-7N | 1913年成立；供應住友/AXT |
| Indium Corp（美國） | 3N-6N5 | 1934年成立，全球半導體材料領先 |
| 5N Plus（加拿大） | 3N-7N | 2000年成立，多倫多上市 |
| 先導稀材（廣東） | 5N-7N5 | 中國高純銦龍頭 |
| 株洲科能 | 4N5-8N | 供貨ITO廠商及北京通美/IQE |
需求結構
2025年全球精銦消費（2,316噸）
- ITO靶材：79%（液晶顯示LCD/OLED/觸控面板）
- InP光電半導體：~7.6%（新興，2026年起快速成長）
- 光伏異質結電池：小量
- 特種焊料、軍工等：其餘
需求展望
| 年份 | 全球精銦消費（噸） | YoY |
|---|
| 2025 | 2,316 | — |
| 2026E | 2,510 | +8.4% |
| 2027E | 2,813 | +12.1% |
AI光模組帶動InP/銦需求爆發
磷化銦在光模組中的作用
- InP具備直接帶隙結構，光電轉換效率接近100%；完美適配1310nm/1550nm光纖通信波段
- 800G/1.6T光模組：
- 發射端：InP基EML雷射（或SiPh方案+InP CW泵浦芯片）
- 接收端：InP基APD探測器（升級自PIN）
- 單顆800G光模組：需8-17顆InP芯片
- 1.6T vs 800G：InP基板消耗量為800G的2.7-2.8倍（面積更大、良率更低）
光模組領域高純銦需求預測（中郵測算）
| 年份 | 光模組精銦需求（噸） | 佔總精銦需求 |
|---|
| 2026E | 190 | 7.6% |
| 2027E | 295 | 10.5% |
| 2028E | 428 | 13.8% |
| 2029E | 513 | 15.1% |
| 2030E | 551 | 15.4% |
InP基板市場
市場格局（高度壟斷）
| 企業 | 市占 | 技術 |
|---|
| 住友電工（日本） | ~60% | VB法，4吋Fe半絕緣，良率穩定 |
| AXT/北京通美（美國） | ~35% | VGF法，6吋量產，成本優勢 |
| 其他（II-VI/Coherent、JX金屬） | ~5% | 高端外延片為主 |
幾家巨頭合計壟斷全球95%以上產能
供需缺口（截至2026年）
- 2025年全球InP基板（2吋當量）總需求：200-210萬片
- 有效合規產能：僅60-70萬片 → ~70%供需缺口
- 供應緊張預計延續至2028年
- 制約因素：擴產週期18-36個月、核心設備依賴進口、良率爬坡需8-12個月
頭部企業擴產計畫
| 企業 | 擴產 |
|---|
| AXT（北京通美） | 2026年產能翻倍 |
| 住友電工 | 2027年前+40% |
| JX金屬 | 宣布+20% |
中國InP企業突圍
| 企業 | 核心進展 | 客戶 |
|---|
| 云南锗業（鑫耀半導體） | 4吋批量供貨，6吋通過華為海思；產能15萬片/年；2026年4月擴建+30萬片→45萬片 | 華為海思 |
| 三安光電 | 募資65億元；武漢月產1萬片6吋 | 華為供應鏈 |
| 九峰山實驗室+云南鑫耀 | 6吋InP外延成功開發；計畫2026年攻克8吋 | — |
| 華芯晶電 | VGF法4吋，良率70%，售價進口50% | 蘋果供應鏈 |
| 博杰股份（鼎泰芯源） | 國內首條自主InP基板生產線 | — |
InP製備流程
高純銦（6N-7N+）
↓ 多晶合成（高溫高壓，P蒸氣壓控制關鍵）
InP多晶料
↓ 單晶生長（CZ/VB/VGF法，籽晶拉制）
InP晶棒 → X射線定向 → 切片研磨拋光
↓ 晶圓尺寸：2"/3"/4"（主流）/6"（高端）
InP衬底（Substrate）
↓ MOCVD / MBE外延生長
InP外延片（Epiwafer）→ 光芯片原料
圖解
[待補來源圖] 需官方行業報告 InP 供需缺口示意圖或製備流程截圖佐證；上方流程為文字整理，尚無來源原圖。
主要上游企業（中郵推薦關注）
- 云南锗業（鑫耀半導體）：InP+Ge多元化
- 錫業股份：全球最大精錫生產商；銦儲量全球第一（4,701噸），精銦產能105噸/年
- 株冶集團：銦設計產能~60噸/年
- 中金嶺南：鉛鋅冶煉；伴生銦
銦行業投資邏輯
- 供給端：原生銦增量有限（鋅冶煉虧損、環保限制）；再生銦回收技術複雜
- 需求端：AI光模組對InP/銦需求指數級增長（2026-2030 CAGR遠超傳統ITO需求）
- 價格趨勢：銦價持續走高（2024-2026）
- 最大風險：InP基板國產化突圍後，進口替代壓縮海外廠商定價權
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