000660.KR(sk_hynix)

基本資料

SK 海力士（SK hynix）為 HBM 現任市占龍頭，DRAM/NAND 大廠。在 AI 記憶體循環中受惠 HBM 需求與 LTA。摩根士丹利維持 OW；惟大和指出其 HBM 市占「高到不正常」，未來將回歸正常水準，2H26 起競爭轉守。資料來源：260702_ms_nand-industry、大和 韓國記憶體產業電話會議摘要。

核心技術／競爭優勢

• HBM 先發優勢：目前 HBM 市占最高，但美光、三星積極追趕；分析師觀察其市占正在下滑。
• HBM4E 進度：樣品已出貨；DRAM 製程由 1b → 1c，惟 logic die 可能仍用 N12（取得 N3 有困難），為相對弱點。
• 產能策略轉向：M15X 廠規劃從 HBM4 → HBM3 → 現改為 HBM + 標準型 DRAM，反映更傾向生產標準型 DRAM；被解讀為 HBM 市占下滑訊號。

產品與應用

產品 / 服務	應用	相關客戶 / 下游
HBM3/HBM4	AI GPU	NVDA.US(nvidia)
標準型 DRAM	伺服器、PC、手機	CSP、品牌
NAND / eSSD	資料中心儲存	資料中心

圖片 / 架構圖

flowchart LR
    HBM[HBM 現任龍頭] --> NV[NVIDIA]
    DRAM[標準型 DRAM 傾向增產] --> SRV[伺服器/PC]
    M15X[M15X 廠 產能搖擺] -.HBM→標準.-> DRAM
    classDef mem fill:#c3fae8,stroke:#0ca678,color:#111;
    classDef cust fill:#fff3bf,stroke:#f08c00,color:#111;
    class HBM,DRAM,M15X mem;
    class NV,SRV cust;

圖說：海力士仍是 HBM 市占龍頭，但 M15X 產能配置由 HBM 轉向標準型 DRAM，被視為市占回落的訊號。

時間軸

時間	事件	類型	重要性	備註
2026-07-10	ADR 新股發行完成（2.5%）	事件	⭐⭐	被動資金流入，短期正面但多已 priced in
2027	HBM4E 量產、logic die 製程受限	規格升級	⭐⭐⭐	N3 取得困難為競爭變數

→ 對照 時程_2026記憶體與AI催化劑

供應鏈位置

• 上游：半導體設備、hybrid bonding（下單量 > 出貨量）、Hanmi TC bonder
• 下游：NVIDIA、CSP
• 所屬供應鏈：供應鏈_記憶體；相關技術 技術_HBM高頻寬記憶體

相關公司

公司	關係	說明
005930.KR(samsung)	同業 / 競爭	HBM 市占爭奪主要對手
MU.US(micron)	同業	HBM/DRAM 競爭者
NVDA.US(nvidia)	客戶	HBM 主要買方

風險與注意事項

• 市占回落：HBM 市占被視為偏高、正向常態回歸，三星／美光追趕。
• 製程受限：HBM4E logic die 若卡在 N12、難取得 N3，效能／競爭力受壓。

來源

• 260702_ms_nand-industry — 摩根士丹利，2026-07-02
• 大和 韓國記憶體產業電話會議摘要 — 大和，2026-07-02

相關頁面

• CXMT（未）
• 分析_CXMT_DRAM_IPO分析
• 分析_記憶體超級循環2026

Bloomberg 2026-07-29 更新

• 新增 Bloomberg「創紀錄獲利未達投資人對 AI 的高期待」原始 PDF；該 PDF 為影像型檔案，內建文字層為空，本批未將未驗證 OCR 內容寫入公司頁。
• 原始檔：SK Hynix’s Record Profit Misses Investors’ Lofty AI Expectations；待取得可讀文字或可靠 OCR 後再補充財務與 HBM 觀察。