005930.KR(samsung)

基本資料

三星電子（Samsung Electronics）為全球 DRAM 龍頭，並跨足 NAND、晶圓代工（foundry）與手機／消費電子。在 2026 記憶體超級循環中，DRAM 與 HBM 是獲利核心。摩根士丹利將三星列為亞洲科技與記憶體 Top Pick，看好其市場領導地位與強化的股東回饋；大和亦看好其 HBM 市占回升與積極庫藏股。資料來源：260702_ms_nand-industry、大和 韓國記憶體產業電話會議摘要。

核心技術／競爭優勢

• DRAM 規模領導：3Q26 估 DRAM 漲價 20–30%，帶動獲利上修與 P/E 穩定（2027e ~5.2x）。
• HBM4E 卡位：HBM4E 已出樣品，採 1C DRAM + N4 logic die，效能較 HBM4 提升逾 20%；目標在 NVIDIA HBM4 供應占比 > 50%。大和預估三星 2027 年 HBM 市占回升至約 50%、重返第一。
• 股東回饋：員工 incentive 庫藏股（年約 3tn 韓圜、OP 10%）下周啟動；3 年期回饋計畫最後一年，超額現金 80–100tn 韓圜可能分批執行、提前至 3Q26 買庫藏股並註銷，年底或配特別股利。

產品與應用

產品 / 服務	應用	相關客戶 / 下游
DRAM / HBM	AI 伺服器、資料中心	NVDA.US(nvidia)、CSP
NAND / eSSD	儲存	資料中心、消費
晶圓代工	HBM logic die、SoC	記憶體、外部客戶

圖片 / 架構圖

flowchart LR
    DRAM[DRAM / 標準型] --> HBM[HBM4E 1C+N4]
    HBM --> NV[NVIDIA HBM4 目標>50%]
    NAND[NAND] --> SSD[eSSD]
    FND[Foundry] --> HBM
    classDef mem fill:#c3fae8,stroke:#0ca678,color:#111;
    classDef cust fill:#fff3bf,stroke:#f08c00,color:#111;
    class DRAM,HBM,NAND,SSD,FND mem;
    class NV cust;

圖說：三星以 DRAM/HBM 為獲利核心，並用自有 foundry 供 HBM4E logic die，目標拉高 NVIDIA HBM4 供應占比。

時間軸

時間	事件	類型	重要性	備註
2026-07（下周）	preliminary 財報公告	事件	⭐⭐	分批公告，獲利可達上修後預估
2026Q3	提前啟動庫藏股買進並註銷	事件	⭐⭐	股東回饋加大
2027	HBM 市占回升至約 50%	放量	⭐⭐⭐	重返第一（大和估）

→ 對照 時程_2026記憶體與AI催化劑

供應鏈位置

• 上游：半導體設備（AMAT/LAM/TEL/ASML/BESI）、hybrid bonding
• 下游：NVIDIA、CSP、手機／PC
• 所屬供應鏈：供應鏈_記憶體；相關技術 技術_HBM高頻寬記憶體、技術_NAND快閃記憶體

相關公司

公司	關係	說明
000660.KR(sk_hynix)	同業 / 競爭	HBM/DRAM 主要競爭者
MU.US(micron)	同業	DRAM/NAND/HBM 競爭者
NVDA.US(nvidia)	客戶	HBM4/HBM4E 主要買方

風險與注意事項

• HBM 執行：HBM4E 良率與 NVIDIA 認證進度決定市占回升力道。
• 循環節奏：YoY 漲價 4Q26 可能觸頂，短期缺乏催化劑須待 2028 供給紀律明朗。

來源

• 260702_ms_nand-industry — 摩根士丹利，2026-07-02
• 大和 韓國記憶體產業電話會議摘要 — 大和，2026-07-02

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