imec（未）
基本資料
imec（interuniversity microelectronics centre）是位於比利時魯汶（Leuven）的全球頂級半導體研究機構，與全球主要半導體廠商（TSMC、Intel、Samsung、ASML 等）緊密合作。在混合鍵合領域，imec 的 Eric Beyne 團隊自 2017 年 IEDM 起一路把 W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合間距從 2 µm 推進到 200 nm，是業界 roadmap 的引路者。
ECTC 2026：發表 200 nm 互連間距 W2W 混合鍵合，揭示 250/225 nm 已有 65%+ 良率、200 nm 仍在跨良率懸崖（~20%）的誠實現況。
資料來源：research_simpletechtrend_CPO矽光子ECTC2026_20260629（2026-06-29）
核心技術 / 競爭優勢
W2W 混合鍵合 200 nm 間距（ECTC 2026）
| 指標 | 250 nm | 200 nm |
|---|---|---|
| 大鏈良率 | ~65%+ | ~20%（懸崖） |
| 主要瓶頸 | 對位 + CMP | 銅腐蝕 + 微影 + 電鍍 |
三個技術突破：
- 六角格焊墊排列：同密度下各方向間距一致，CMP 更平整
- 微影預補償（指紋技術）：非線性對位殘差從 60→20 nm（3×砍）
- EVG NT3 對位機：face-to-face overlay <100 nm
詳見 技術_混合鍵合
歷史 Roadmap（同一支 Beyne 團隊）
| 年份 | 間距 | 里程碑 |
|---|---|---|
| 2017 IEDM | <2 µm | sub-2µm Cu/SiCN 混合鍵合首發 |
| 2025 ECTC | 300 nm | — |
| 2026 ECTC | 200 nm | 良率懸崖，誠實揭示 |
圖片/架構圖
[待補來源圖] 需官方研究報告或論文半導體製程架構示意圖佐證，現有研究筆記不足以支撐架構示意圖。
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 3711_日月光投控（市） | 技術參考 | CoW HB 量產路線（imec 為研究引路） |
| 2330_台積電（市） | 技術參考 | SoIC 混合鍵合商業化 |
相關技術
- 技術_混合鍵合（imec W2W HB 200 nm 研究詳細）
來源
- research_simpletechtrend_CPO矽光子ECTC2026_20260629（Stefaan Van Huylenbroeck et al., imec, ECTC 2026，2026-06-29）