CXMT（未）
基本資料
長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies，CXMT），中國最大 DRAM 廠，2016 年由朱一明（Zhu Yiming）在安徽合肥創立，源自 Qimonda 專利授權與人才引進。計畫於上海 STAR Market 掛牌（截至 2026 年 6 月仍在 CSRC 審核中）。主要產品為 DDR4/DDR5/LPDDR 商品 DRAM（2025 年 99% 營收），目前 HBM 比重極低（約 2%）。全球 DRAM bit 市占率約 9%（2025）→預計 12%（2027）。
資料來源：報告_SemiAnalysis_CXMT_DRAM_IPO_20260623（SemiAnalysis，2026-06-23）
核心技術／競爭優勢
- BWL 埋置字元線（Buried Wordline）架構：源自 Qimonda（現倒閉德企），6F² 單元佈局對比 8F²，抑制漏電、降低閘極寄生電容，是三大廠共用主流架構
- G4 製程（1z equivalent）：2025 年主流節點，DDR5 成本/bit 比三大廠高 30%+，但受益於高 ASP 環境毛利率仍達 70%+
- 在地供應鏈生態系：合肥市政府主導的「鏈主企業」模式——封測廠 Peyton、Xinfeng（99% 收入來自 CXMT）、現場氣體廠 Guanggang、晶圓回收 Zhiwei 均在 fab 附近
- 國家資本耐性：合肥國資（清暉機電 21.67% + 其他 >30%）願意接受近十年虧損，讓 CXMT 完成技術積累
產品與應用
| 產品 / 服務 | 應用 | 相關客戶 / 下游 |
|---|---|---|
| DDR4 / DDR5 商品 DRAM | 消費性裝置、伺服器（非 AI） | 中國大陸 OEM |
| LPDDR（手機記憶體） | 智慧手機 | 中國手機品牌 |
| HBM3（早期） | 中國 AI 加速器（HBM 自給替代） | Huawei、Cambricon |
圖片 / 架構圖
CXMT vs 三大廠季度 DRAM 營收比較（SemiAnalysis，2026-06）。CXMT 1Q26 季收達 $7.3B，以 700% YoY 速度逼近 Micron。
CXMT 合肥廠區衛星圖（SemiAnalysis）。Fab 1（已滿載 ~100 kwspm）+ Fab 2（新建 ~100 kwspm）可見，紅框為擴建中區域。
財務關鍵數字
| 指標 | FY2023 | FY2024 | FY2025 | 1Q26 |
|---|---|---|---|---|
| 營收（$B） | 1.2 | 3.3 | 8.6 | 7.3（單季） |
| 毛利率 | -113% | 4.7% | 37.8% | ~75% |
| 營業利益率 | — | — | — | ~70% |
| YoY 營收 | — | +175% | +156% | +700% |
SemiAnalysis 估 FY2026 全年營收 $50B+（來源：報告_SemiAnalysis_CXMT_DRAM_IPO_20260623，2026-06-23，estimate，信心：中）。
產能規劃（kwspm）
| 廠區 | 2025 | 2026E | 2027E | 2028E |
|---|---|---|---|---|
| 合肥 Fab 1 | ~100 | 100 | 100 | 100 |
| 合肥 Fab 2 | ~100 | 100 | 100 | 100 |
| 北京廠 | — | 50 | 120 | 200 |
| 上海 Fab（Phase 1） | — | — | 100+ | 200+ |
| 合計 | 265 | 350 | 420 | 500 |
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2025-12 | 向上交所提交 STAR Market IPO 申請 | 里程碑 | ⭐⭐⭐ | |
| 2026-05-27 | 向 CSRC 提交正式登記 | 里程碑 | ⭐⭐⭐ | 仍在審核中 |
| 2026 下半 | IPO 預計完成（RMB 29.5B 募資） | 催化劑 | ⭐⭐⭐ | 估值 ~$27B（低端），偏低 |
| 2026 底 | HBM 產能 30 kwspm（vs 5 kwspm 2025） | 技術里程碑 | ⭐⭐ | HBM 仍以 DDR5 商品為主 |
| 2027 | G5 製程（1a equivalent）導入 | 技術節點 | ⭐⭐⭐ | 不依賴 EUV，但難度提升 |
| 2028 | 全球 DRAM 產能市占 17% | 競爭 | ⭐⭐⭐ | 500 kwspm 目標 |
供應鏈位置
- 上游設備：受美國出口管制限制先進 WFE（EUV 等），逐步轉向中國國產設備
- 後端封測（HBM）：通富微電（Tongfu Microelectronics）
- 核心技術來源：Qimonda 專利（2019 年授權）+ 海外人才（Karl-Heinz Kuesters、Ping Er-xuan）
- 下游：中國消費電子 OEM（DDR/LPDDR）、Alibaba Cloud（4% 股東 + 錨定客戶）、華為/寒武紀（HBM）
- 所屬行業：供應鏈_記憶體（如建立）
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 005930.KR(samsung) | 競爭對手 | DRAM 全球最大，720 kwspm 產能 |
| 000660.KR(sk_hynix) | 競爭對手 | HBM 最強，595 kwspm，毛利 60% |
| MU.US(micron) | 競爭對手 | 385 kwspm，1a 製程，毛利 40% |
風險與注意事項
- 技術差距：DDR5 成本/bit 高出三大廠 30%+；HBM 前段良率估僅 35%（vs 業界標準 85-90%）
- 出口管制：美國對中國先進 WFE 出口限制逐步收緊，設備本土化率須大幅提升
- IPO 結構風險：合併報表淨利 74% 屬少數股東，母公司實際可分配盈餘遠低於合併數字
- 地緣政治：中美科技脫鉤壓力下，HBM 取得受限（HBM2E 以上無法進口）；CXMT 同時是中國 AI 算力自主化的政策標的，可能被迫加速 HBM 投資犧牲商品 DRAM 利潤
來源
- 報告_MorganStanley_CXMT_DRAM_20260826（Morgan Stanley，2026-08-26；OW、RMB88，DRAM／HBM 產能與 3D DRAM 估計）
- 報告_SemiAnalysis_CXMT_DRAM_IPO_20260623 — SemiAnalysis（Ray Wang, Myron Xie, Dylan Patel），2026-06-23