Quartz 5

技術_MLCC

Properties2
tags技術/mlcc, 產業/ai伺服器, 產業/消費電子, 產業/汽車電子
aliasesMLCC, 積層陶瓷電容, Multilayer Ceramic Capacitor

15 min read

技術_MLCC

定義

MLCC（Multilayer Ceramic Capacitor，積層陶瓷電容），由數百至上千層陶瓷介電層與金屬電極交替堆疊製成。作為電路中的「局部儲能元件」，負責穩定電壓、濾除雜訊、快速響應瞬態電流。AI 伺服器中每個 GPU/ASIC 核心電壓約 0.8V、電流高達數百安培，任何納秒級的電壓偏移都可能導致晶片失效——MLCC 是防止這種情況的關鍵元件。

為什麼現在重要：AI 算力世代升級（GB200 → GB300 → Rubin VR200）帶來雙重需求衝擊——單機架 MLCC 用量從 22,000 顆（HGX Hopper）跳升至 570,000 顆（VR200 NVL72），增幅 ~26x；同時規格從消費級跳升至高壓 NP0/高容 47µF+ 等 AI 專用品。日韓頭部廠（Murata/SEMCO）良率僅 ~50%、設備自製、擴產週期 2 年，供給彈性遠低於需求彈性，形成結構性緊缺至少延續至 2H27（MS 2026-06-22）。與 技術_800VDC供電架構 共同構成 AI 伺服器「電源側升級」的核心投資主線；詳見 供應鏈_被動元件。

圖解

flowchart TD
    MAT["上游材料\nBaTiO₃陶瓷粉 / 鎳漿 / 稀土 / 鉭粉"]
    PROC["MLCC 製造\n多層印刷堆疊 → 切割 → 燒結 → 端電極 → 測試分選"]
    AI["AI 伺服器應用\nPSU LLC諧振(NP0) / GPU VRM(47µF+) / 主板去耦(X7R)"]
    EV["車用 / 工業"]
    CON["消費電子（低毛利，外溢來源）"]

    MAT --> PROC
    PROC --> AI
    PROC --> EV
    PROC --> CON

    classDef mat fill:#b2f2bb,stroke:#333,color:#111
    classDef proc fill:#a5d8ff,stroke:#333,color:#111
    classDef ai fill:#fff3bf,stroke:#333,color:#111
    classDef oth fill:#ffd8a8,stroke:#333,color:#111

    class MAT mat
    class PROC proc
    class AI ai
    class EV,CON oth

圖說：MLCC 為通用元件，AI 伺服器是本輪利潤最高的應用場景；日韓頭部廠將消費品產能外溢至台廠，是台廠受惠的核心機制。

圖說：MLCC 積層陶瓷電容實物陣列（右側黃/橙色為鉭電容對比）——產品示意圖，非製程或結構流程圖，來源：Nomura 2021-01。

圖說：電容類型分類對比（電解質系：鋁電解/鉭電解/薄膜；電介質系：MLCC）——產品示意圖，非製程或結構流程圖，來源：Nomura 2021-01。

技術原理

模組功能觀察重點
陶瓷介電層（BaTiO₃基）儲能媒介；介電常數決定容量上限AI 用 47µF+ 需數百至上千層；層數越多，切割精度與燒結良率要求越高
鎳內電極電荷傳導層，與介電層交錯堆疊電極間距 <1µm；設備精度門檻高，廠商自製多層堆疊機，無法外購
外部端電極（Ni/Sn）與 PCB 焊墊接合，提供電氣連接材質影響 ESR（等效串聯電阻）與耐熱性；AI 伺服器 PSU 對 ESR 要求更嚴
燒結製程（隧道窯）將生坯燒結成緻密陶瓷體，決定電氣特性燒結爐為廠商自製；燒結條件差異直接影響良率——AI 規格良率 ~50% vs 消費品 99.5%
測試分選依容值/耐壓/損耗角分選出貨AI 用品規格公差窄，分選不合格率高，是實際有效產能的關鍵卡脖

與一般電解電容的差異：傳統鋁電解電容用液態電解質，有液態洩漏與壽命短等問題；MLCC 全固態結構可靠性高，但 AI 規格要求的超高層數使良率與設備門檻遠超消費品，形成日韓廠商的護城河。台廠在 AI 用高端品市占低（合計 <10%），受惠主要來自消費品外溢訂單。

關鍵參數 / 判斷指標

指標意義投資觀察
高容量（47µF+）合約漲價時程AI MLCC 核心規格，Rubin 世代佔比升至 30%+若 2H26 跟進漲價（MS 預估），2327_國巨（市） / 3026_禾伸堂（市） 毛利直接改善
雲端 AI 47µF+ 需求（bn 顆）2025E 4bn → 2026E 10bn → 2030E 38bn（MS 6/22）YoY +150% 是 2026 核心需求確認指標；季度出貨量是領先訊號
Murata / SEMCO 產能利用率兩家合計 85% 高端市占，決定外溢訂單規模持續高利用率 → 台廠訂單窗口延長；Murata 2x capacity 提前落地 → 外溢效應縮短
AI 用 MLCC 良率（目前 ~50%）良率決定有效產能，是高端 MLCC 最大隱性瓶頸良率提升慢 → 緩解時程延後，對有庫存台廠相對有利
現貨 vs 合約價差倍數2017-18 超級週期峰值 10-20x；目前 ~6x（部分規格）倍數持續擴大 → 缺口未解除；倍數縮小是週期見頂早期訊號
Rubin VR200 量產時程VR200 單機架用量是 GB300 的 +78%（570K vs 320K 顆）2026H2 樣機 → 2027 量產；提前放量直接拉動 2026 需求曲線

產業動能

  • AI 伺服器 MLCC 用量世代跳升：MS 2026-06-22（報告_MS_MLCC超級週期_20260622）統計，VR200 NVL72 全機架 MLCC 用量 570K 顆（vs GB300 320K 顆，+78%），完整機架對比一般伺服器達 ~290x。47µF+ 高容 MLCC 雲端 AI 需求 2026E 10bn 顆（+150% YoY）。
  • Rubin BOM content 暴增拉動台廠：報告_國票_國巨2327_20260617 2026-06-17 分析，VR200 被動元件 BOM 從 GB300 的 USD 1.2-1.5 萬升至 USD 3.5-4.5 萬（+3x），2327_國巨（市） 作為 Rubin 全方位供應商（MLCC+鉭電容+電感+電阻）受惠。
  • 漲價週期啟動確認：報告_廣發HK_MLCC產業_20260615 2026-06-15 記錄深圳現貨部分規格 YTD 漲 ~6x；台灣 ODM 低容漲 5-100%，合約客戶漲 20-30% QoQ；預期 2026Q3 高容 105/106 跟進、電阻漲 ~50%。
  • SEMCO 矽電容大單揭示下世代路線：MS 2026-06-22（報告_MS_MLCC超級週期_20260622）揭露 SEMCO 與全球科技客戶簽 KRW 1.5 兆矽電容供應協議，2027-28 年貢獻營收；顯示日系廠商已在佈局 ABF 基板嵌入式矽電容，作為傳統 MLCC 的升級路線。
  • 專家閉門確認供需缺口：活動_大摩閉門_存儲MLCC_20260612（2026-06-12）與 活動_MLCC_專家會議_20260623（2026-06-23）均指向 2H26-2027 高容 AI MLCC 供需缺口持續，設備自製 + 擴產週期 2 年是核心制約。
  • 中系廠商切入中段市場：報告_銀河證券_MLCC深度報告_20260528 2026-05-28 指出 CCTC（三環集團）等進入中系 AI 伺服器供應鏈，影響中段市場格局，但高端 AI 品短期仍由日韓主導。

概念股 / 族群

類型廠商角色觀察點
台廠 MLCC 龍頭2327_國巨（市）全球 MLCC 第三、電阻第一、鉭電容第一；Rubin 全方位供應商47µF+ 合約漲價時程；目標價 NT$355（MS，2026-06-12）
台廠高壓 NP03026_禾伸堂（市）AI PSU LLC 諧振電容（NP0）台廠代表，市占 >60%禾伸堂 NP0 獨占性；漲價轉嫁速度
台廠電感3357_台慶科（市）GPU VRM TLVR 電感第二大廠TLVR 跟漲時程；佔 AI 伺服器 TLVR 需求比重
日廠龍頭村田製作所（未建頁）45% 高端 MLCC 市占；AI server 2x capacity 擴產中擴產時程是台廠訂單外溢的反指標
韓廠龍頭SEMCO（未建頁）40% 高端市占；積極佈局矽電容（2027-28）矽電容大單能見度；內嵌式技術對傳統 MLCC 的替代速度
台廠 MLCC 二線華新科（2492，未建頁）消費端為主，AI 訂單外溢受惠訂單外溢比重；毛利改善幅度

信心水準

高（已有法說/報告支撐）：國巨受惠方向（MS TP NT$355 2026-06-12）、禾伸堂 NP0 AI PSU 地位（供應鏈_被動元件）、台慶科 TLVR 第二大地位。 低（待公告確認）：各廠具體合約漲價幅度與季度時程、台廠個別進入 Rubin 平台的 BOM 佔比。

技術瓶頸 / 風險

  • 設備自製 = 擴產週期 2 年：MLCC 多層堆疊機、燒結爐均為廠商 in-house 設備，無法向外採購；景氣好轉後新增產能最快需 24 個月，短期供給無法快速回應需求。
  • 良率壁壘鎖死有效產能：AI 用 47µF+ MLCC 良率 ~50%，實際消耗產能是名目產量的 2x 以上；良率改善需長時間製程優化，形成外部難以複製的隱性護城河，也是緩解缺口最大的變數。
  • 產能不可互換：車用 / 消費品規格（電氣特性、尺寸、耐壓）與 AI 伺服器用完全不同，產線無法快速切換；若消費電子景氣同步回升，將與 AI MLCC 競爭有限日韓產能。
  • 日韓雙寡占護城河：Murata（45%）+ SEMCO（40%）合計 85% 高端市占，台廠訂單本質是「外溢」而非「搶市占」；一旦日韓頭部廠提前完成擴產，外溢訂單可能快速回流，台廠議價空間縮小。
  • 矽電容 / 嵌入式 MLCC 替代風險：SEMCO 主導的 ABF 基板嵌入式矽電容（2027-28 量產）若加速普及，GPU 核心電壓側的部分傳統 MLCC 需求面臨替代壓力（受影響程度 [待查證]）。

技術趨勢（◇）

內嵌式 MLCC（Embedded MLCC）

下一代 AI 伺服器 ABF 基板將直接整合 MLCC，縮短電流路徑、提升電源完整性。SEMCO 為主要推動者，已公告 2027-28 年向某全球科技客戶提供 KRW 1.5 兆（約 USD 1bn）矽電容供應協議。

矽電容（Silicon Capacitor）

SEMCO 以 DRAM 衍生的電容結構在 300mm 晶圓上製造，Fabless 模式（委外晶圓廠+OSAT），主要針對 AI 晶片先進封裝。2027 年開始貢獻營收。

AI 伺服器 MLCC 用量詳表（參考）

平台MLCC 用量（顆）相對一般伺服器資料來源
一般伺服器2,000基準MS 6/22
HGX Hopper（8x GPU）22,00011xMS 6/22
HGX B300（8x GPU）48,00024xMS 6/22
GB200 NVL72（全機架）319,500–337,500~160xMS 6/22、廣發 6/15
VR200 NVL72（Rubin 全機架）570,000–581,000~290xMS 6/22、廣發 6/15
Vera Rack494,048~247xMS 6/22
AWS STX Rack326,256~163xMS 6/22
AWS LPX Rack581,024~290xMS 6/22

全球市場規模（參考）

年度全球 MLCC 市場（USD bn）YoY雲端 AI 47µF+ 需求（bn 顆）
2025E14.7—4
2026E~17+16%~10（+150%）
2027E~20+18%—
2028E24.3——
2030E——38

CAGR 2025-28E：18%（vs 過去 10 年平均 6.5%）。資料來源：MS 2026-06-22。

漲價週期（2025-2026）（參考）

漲價路徑

  1. 2025Q4：Murata/SEMCO 首先對 IT MLCC 漲價（消費低容先漲）
  2. 2026Q1：Taiyo Yuden 對消費/車用低容 MLCC 漲 6-13%
  3. 2026Q2：台灣 ODM 低容 MLCC 漲 5-100%（視規格），合約客戶漲 20-30% QoQ
  4. 2026Q3（預期）：高容 105/106 跟進漲價；電阻漲 ~50%（廣發 6/15 預估）
  5. 2026H2-2027：供需缺口持續，進一步漲價

現貨 vs 合約價差

2026 深圳現貨（部分規格，0805 27µF）YTD 漲 ~6x；Taiyo Yuden 等廠商合約漲 20-30% QoQ。MS 指出 2017-18 超級週期峰值現貨漲幅達 10-20x，目前漲幅仍遠低於峰值。

比較：2018 vs 2026 超級週期

特性2017-18 超級週期2025-26 超級週期
主驅動EV 採用 + 5G 智慧機AI 伺服器 + AI 推理
性質量需求（volume）規格升級（quality）+ 量需求
持續性1-2 年結構性，預估 3 年以上
峰值漲幅現貨 10-20x目前 5-10x，遠低於峰值
供應回應速度較快較慢（高端設備內製、良率低）

相關技術

來源

相關頁面

Graph View

Backlinks