技術_MLCC
定義
MLCC(Multilayer Ceramic Capacitor,積層陶瓷電容),由數百至上千層陶瓷介電層與金屬電極交替堆疊製成。作為電路中的「局部儲能元件」,負責穩定電壓、濾除雜訊、快速響應瞬態電流。AI 伺服器中每個 GPU/ASIC 核心電壓約 0.8V、電流高達數百安培,任何納秒級的電壓偏移都可能導致晶片失效——MLCC 是防止這種情況的關鍵元件。
為什麼現在重要:AI 算力世代升級(GB200 → GB300 → Rubin VR200)帶來雙重需求衝擊——單機架 MLCC 用量從 22,000 顆(HGX Hopper)跳升至 570,000 顆(VR200 NVL72),增幅 ~26x;同時規格從消費級跳升至高壓 NP0/高容 47µF+ 等 AI 專用品。日韓頭部廠(Murata/SEMCO)良率僅 ~50%、設備自製、擴產週期 2 年,供給彈性遠低於需求彈性,形成結構性緊缺至少延續至 2H27(MS 2026-06-22)。與 技術_800VDC供電架構 共同構成 AI 伺服器「電源側升級」的核心投資主線;詳見 供應鏈_被動元件。
圖解
2025 年全球 MLCC 市占率:Murata 40.8%、SEMCO 22.5%、Taiyo Yuden 11.3%、TDK 6.9%、Yageo 5.4%、其他 13.0%。AI 高容市場集中度更高(Murata 約 70%)。來源:Vastpeak/Morgan Stanley,2026-06-30。
各 MLCC 材料類別 TCC(溫度係數)曲線:C0G(NP0)幾乎水平(最穩定),X5R/X7R 高溫後衰退,Y5V 大幅衰退。這決定了各類別在 AI PSU(NP0)vs GPU 去耦(X5R/X7R)vs 消費品(Y5V)的應用分佈。來源:Vastpeak,2026-06-30。
flowchart TD MAT["上游材料\nBaTiO₃陶瓷粉 / 鎳漿 / 稀土 / 鉭粉"] PROC["MLCC 製造\n多層印刷堆疊 → 切割 → 燒結 → 端電極 → 測試分選"] AI["AI 伺服器應用\nPSU LLC諧振(NP0) / GPU VRM(47µF+) / 主板去耦(X7R)"] EV["車用 / 工業"] CON["消費電子(低毛利,外溢來源)"] MAT --> PROC PROC --> AI PROC --> EV PROC --> CON classDef mat fill:#b2f2bb,stroke:#333,color:#111 classDef proc fill:#a5d8ff,stroke:#333,color:#111 classDef ai fill:#fff3bf,stroke:#333,color:#111 classDef oth fill:#ffd8a8,stroke:#333,color:#111 class MAT mat class PROC proc class AI ai class EV,CON oth
圖說:MLCC 為通用元件,AI 伺服器是本輪利潤最高的應用場景;日韓頭部廠將消費品產能外溢至台廠,是台廠受惠的核心機制。
圖說:MLCC 積層陶瓷電容實物陣列(右側黃/橙色為鉭電容對比)——產品示意圖,非製程或結構流程圖,來源:Nomura 2021-01。
圖說:電容類型分類對比(電解質系:鋁電解/鉭電解/薄膜;電介質系:MLCC)——產品示意圖,非製程或結構流程圖,來源:Nomura 2021-01。
技術原理
| 模組 | 功能 | 觀察重點 |
|---|---|---|
| 陶瓷介電層(BaTiO₃基) | 儲能媒介;介電常數決定容量上限 | AI 用 47µF+ 需數百至上千層;層數越多,切割精度與燒結良率要求越高 |
| 鎳內電極 | 電荷傳導層,與介電層交錯堆疊 | 電極間距 <1µm;設備精度門檻高,廠商自製多層堆疊機,無法外購 |
| 外部端電極(Ni/Sn) | 與 PCB 焊墊接合,提供電氣連接 | 材質影響 ESR(等效串聯電阻)與耐熱性;AI 伺服器 PSU 對 ESR 要求更嚴 |
| 燒結製程(隧道窯) | 將生坯燒結成緻密陶瓷體,決定電氣特性 | 燒結爐為廠商自製;燒結條件差異直接影響良率——AI 規格良率 ~50% vs 消費品 99.5% |
| 測試分選 | 依容值/耐壓/損耗角分選出貨 | AI 用品規格公差窄,分選不合格率高,是實際有效產能的關鍵卡脖 |
與一般電解電容的差異:傳統鋁電解電容用液態電解質,有液態洩漏與壽命短等問題;MLCC 全固態結構可靠性高,但 AI 規格要求的超高層數使良率與設備門檻遠超消費品,形成日韓廠商的護城河。台廠在 AI 用高端品市占低(合計 <10%),受惠主要來自消費品外溢訂單。
關鍵參數 / 判斷指標
| 指標 | 意義 | 投資觀察 |
|---|---|---|
| 高容量(47µF+)合約漲價時程 | AI MLCC 核心規格,Rubin 世代佔比升至 30%+ | 若 2H26 跟進漲價(MS 預估),2327_國巨(市) / 3026_禾伸堂(市) 毛利直接改善 |
| 雲端 AI 47µF+ 需求(bn 顆) | 2025E 4bn → 2026E 10bn → 2030E 38bn(MS 6/22) | YoY +150% 是 2026 核心需求確認指標;季度出貨量是領先訊號 |
| Murata / SEMCO 產能利用率 | 兩家合計 85% 高端市占,決定外溢訂單規模 | 持續高利用率 → 台廠訂單窗口延長;Murata 2x capacity 提前落地 → 外溢效應縮短 |
| AI 用 MLCC 良率(目前 ~50%) | 良率決定有效產能,是高端 MLCC 最大隱性瓶頸 | 良率提升慢 → 緩解時程延後,對有庫存台廠相對有利 |
| 現貨 vs 合約價差倍數 | 2017-18 超級週期峰值 10-20x;目前 ~6x(部分規格) | 倍數持續擴大 → 缺口未解除;倍數縮小是週期見頂早期訊號 |
| Rubin VR200 量產時程 | VR200 單機架用量是 GB300 的 +78%(570K vs 320K 顆) | 2026H2 樣機 → 2027 量產;提前放量直接拉動 2026 需求曲線 |
產業動能
- AI 伺服器 MLCC 用量世代跳升:MS 2026-06-22(報告_MS_MLCC超級週期_20260622)統計,VR200 NVL72 全機架 MLCC 用量 570K 顆(vs GB300 320K 顆,+78%),完整機架對比一般伺服器達 ~290x。47µF+ 高容 MLCC 雲端 AI 需求 2026E 10bn 顆(+150% YoY)。
- Rubin BOM content 暴增拉動台廠:報告_國票_國巨2327_20260617 2026-06-17 分析,VR200 被動元件 BOM 從 GB300 的 USD 1.2-1.5 萬升至 USD 3.5-4.5 萬(+3x),2327_國巨(市) 作為 Rubin 全方位供應商(MLCC+鉭電容+電感+電阻)受惠。
- 漲價週期啟動確認:報告_廣發HK_MLCC產業_20260615 2026-06-15 記錄深圳現貨部分規格 YTD 漲 ~6x;台灣 ODM 低容漲 5-100%,合約客戶漲 20-30% QoQ;預期 2026Q3 高容 105/106 跟進、電阻漲 ~50%。
- SEMCO 矽電容大單揭示下世代路線:MS 2026-06-22(報告_MS_MLCC超級週期_20260622)揭露 SEMCO 與全球科技客戶簽 KRW 1.5 兆矽電容供應協議,2027-28 年貢獻營收;顯示日系廠商已在佈局 ABF 基板嵌入式矽電容,作為傳統 MLCC 的升級路線。
- 專家閉門確認供需缺口:活動_大摩閉門_存儲MLCC_20260612(2026-06-12)與 活動_MLCC_專家會議_20260623(2026-06-23)均指向 2H26-2027 高容 AI MLCC 供需缺口持續,設備自製 + 擴產週期 2 年是核心制約。
- 中系廠商切入中段市場:報告_銀河證券_MLCC深度報告_20260528 2026-05-28 指出 CCTC(三環集團)等進入中系 AI 伺服器供應鏈,影響中段市場格局,但高端 AI 品短期仍由日韓主導。
- AI MLCC 能力高度集中於日韓兩廠:memo_日電貿_MLCC座談_20260708(2026-07-08,日電貿)確認 AI 伺服器核心 MLCC 規格(0201 10µF X6T 2.5V / 0402 47µF X6S 2.5V / 0603 100µF X6S 2.5V)僅 Murata + Samsung 有完整供貨能力;Kyocera、Taiyo Yuden 能力次之。電源側高壓品(100V+):3026_禾伸堂(市)、6173_信昌電(市)、風華高科最緊缺,日韓廠商該品類不願回頭擴產;主機板 MLCC:2327_國巨(市) / 華科現貨稀缺,日系+Samsung 供應主導,良率瓶頸仍在。
- 2026→2027 AI 需求顆數倍增、容值暴增:日電貿座談確認 2026→2027 AI 伺服器 MLCC 顆數 +1 倍、容值需求 +5 倍;4Q26-1Q27 為台灣客戶 AI 伺服器拉貨高峰(GB300/Rubin 交叉期);中系 ASIC 客戶(ByteDance/Baidu 等)落後約半年。日系大廠擴產幅度僅 10-20%,遠不足以補足缺口。
概念股 / 族群
| 類型 | 廠商 | 角色 | 觀察點 |
|---|---|---|---|
| 台廠 MLCC 龍頭 | 2327_國巨(市) | 全球 MLCC 第三、電阻第一、鉭電容第一;Rubin 全方位供應商 | 47µF+ 合約漲價時程;目標價 NT$355(MS,2026-06-12) |
| 台廠高壓 NP0 | 3026_禾伸堂(市) | AI PSU LLC 諧振電容(NP0)台廠代表,市占 >60% | 禾伸堂 NP0 獨占性;漲價轉嫁速度 |
| 台廠電感 | 3357_台慶科(市) | GPU VRM TLVR 電感第二大廠 | TLVR 跟漲時程;佔 AI 伺服器 TLVR 需求比重 |
| 日廠龍頭 | 村田製作所(未建頁) | 45% 高端 MLCC 市占;AI server 2x capacity 擴產中 | 擴產時程是台廠訂單外溢的反指標 |
| 韓廠龍頭 | SEMCO(未建頁) | 40% 高端市占;積極佈局矽電容(2027-28) | 矽電容大單能見度;內嵌式技術對傳統 MLCC 的替代速度 |
| 台廠 MLCC 二線 | 華新科(2492,未建頁) | 消費端為主,AI 訂單外溢受惠 | 訂單外溢比重;毛利改善幅度 |
| 台廠高壓電源側 | 6173_信昌電(市) | 電源側 100V+ 高壓 MLCC(LLC 諧振電容等),與禾伸堂並列最緊缺品類 | 供需缺口持續性;台廠主要電源側受惠者 |
| 台廠鋁電解電容 | 8042_金山電(市)、鈺邦(未建頁) | AI 伺服器電源端鋁電解電容台廠代表;日本三大 CON(尼吉康/紅寶石/日本化工)為主導者 | 台廠承接日本廠外溢訂單比重;AI 電源規格升級帶動 ASP 提升 |
信心水準
高(已有法說/報告支撐):國巨受惠方向(MS TP NT$355 2026-06-12)、禾伸堂 NP0 AI PSU 地位(供應鏈_被動元件)、台慶科 TLVR 第二大地位。 低(待公告確認):各廠具體合約漲價幅度與季度時程、台廠個別進入 Rubin 平台的 BOM 佔比。
技術瓶頸 / 風險
- 設備自製 = 擴產週期 2 年:MLCC 多層堆疊機、燒結爐均為廠商 in-house 設備,無法向外採購;景氣好轉後新增產能最快需 24 個月,短期供給無法快速回應需求。
- 良率壁壘鎖死有效產能:AI 用 47µF+ MLCC 良率 ~50%,實際消耗產能是名目產量的 2x 以上;良率改善需長時間製程優化,形成外部難以複製的隱性護城河,也是緩解缺口最大的變數。
- 產能不可互換:車用 / 消費品規格(電氣特性、尺寸、耐壓)與 AI 伺服器用完全不同,產線無法快速切換;若消費電子景氣同步回升,將與 AI MLCC 競爭有限日韓產能。
- 日韓雙寡占護城河:Murata(45%)+ SEMCO(40%)合計 85% 高端市占,台廠訂單本質是「外溢」而非「搶市占」;一旦日韓頭部廠提前完成擴產,外溢訂單可能快速回流,台廠議價空間縮小。
- 矽電容 / 嵌入式 MLCC 替代風險:SEMCO 主導的 ABF 基板嵌入式矽電容(2027-28 量產)若加速普及,GPU 核心電壓側的部分傳統 MLCC 需求面臨替代壓力(受影響程度 [待查證])。
技術趨勢(◇)
內嵌式 MLCC(Embedded MLCC)
下一代 AI 伺服器 ABF 基板將直接整合 MLCC,縮短電流路徑、提升電源完整性。SEMCO 為主要推動者,已公告 2027-28 年向某全球科技客戶提供 KRW 1.5 兆(約 USD 1bn)矽電容供應協議。
矽電容(Silicon Capacitor)
SEMCO 以 DRAM 衍生的電容結構在 300mm 晶圓上製造,Fabless 模式(委外晶圓廠+OSAT),主要針對 AI 晶片先進封裝。2027 年開始貢獻營收。
AI 伺服器 MLCC 關鍵數據(Citi 2026-06-29,報告_Citi_村田製作所_20260629)
| 指標 | 數值 | 備註 |
|---|---|---|
| 每塊 GPU board MLCC 用量(CY26) | ~11,000 顆 | vs 一般伺服器 ~2,000 顆(5.5x) |
| 現行主流容值 | 47µF | AI 功耗/電流需求驅動 |
| 未來標準容值 | 100µF | 應對突然電壓降、安裝面積限制 |
| 村田 AI MLCC 市占 | ~50% | 三大供應商:Murata / SEMCO / Taiyo Yuden |
| Murata 擴產計畫 | 正常 +10%/年 + 額外 +20% | 針對 AI 伺服器 side-forming 特殊產品 |
| 若全品 MLCC 漲價 10% | 村田 FY3/29 OP 約 ¥920bn | 對比基本情境 ¥800bn |
Citi 核心觀點:高電容(100µF+)製造需增加薄膜層數 → 生產負荷上升、良率下降 → 形成 AI server MLCC 進入壁壘。Murata 憑藉優異量產良率擁有 ~50% 高端市占,且其利潤率已遠高於競爭對手,維持廣泛市占策略(不主動提價)有助於防止對手跟漲。
AI 伺服器 MLCC 用量詳表(參考)
| 平台 | MLCC 用量(顆) | 相對一般伺服器 | 資料來源 |
|---|---|---|---|
| 一般伺服器 | 2,000 | 基準 | MS 6/22、Citi 6/29 |
| HGX Hopper(8x GPU) | 22,000 | 11x | MS 6/22 |
| HGX B300(8x GPU) | 48,000 | 24x | MS 6/22 |
| GB200 NVL72(全機架) | 319,500–337,500 | ~160x | MS 6/22、廣發 6/15 |
| GB300 平台(單台服務器) | 最多 30,000 | — | 財通 6/1(引村田×台灣《經濟日報》) |
| GB300 平台(AI 機架) | 440,000 | ~220x | 財通 6/1(引村田×台灣《經濟日報》) |
| VR200 NVL72(Rubin 全機架) | 570,000–581,000 | ~290x | MS 6/22、廣發 6/15 |
| VR200(群益細分) | 725,000(Compute 437k + BF+CX 49k + Switch 45k + Net 2k + PSU 192k) | ~362x | 群益 6/24 |
| Vera Rubin NVL144(整機架,全品類) | 860,000–6,480,000 | 430–3240x | 國票投顧 6/11(寬幅含所有子系統) |
| Vera Rack | 494,048 | ~247x | MS 6/22 |
| AWS STX Rack | 326,256 | ~163x | MS 6/22 |
| AWS LPX Rack | 581,024 | ~290x | MS 6/22 |
VR200 MLCC 用量數據分歧
MS 6/22 與廣發 6/15 引用 570–581K 顆(NVL72 全機架),而群益 6/24 報告拆分結果為 725K(含 PSU 192K)。差異可能源自:MS/廣發 可能未計 PSU 用量(外購件);或 BOM 取得時間點/定義不同。建議以最新群益拆分數字作為保守上限參考,並注意定義差異。
MLCC 產能(群益,2026-06-24)
| 廠商 | 月產能(億顆) | 稼動率 | 2026 擴產 |
|---|---|---|---|
| Murata | 1,400 | 95% | 10–15% |
| SEMCO | 1,000 | 95% | 10% |
| Yageo(國巨) | 1,000 | 一般品 80%、特規品 90% | UTR 提升 |
| Taiyo Yuden | 800 | 90%+ | 5–10% |
| TDK | 200 | 90%+ | 5–10% |
| 華新科 | 500 | — | — |
| 禾伸堂 | 12 | 滿載 | 20–30% |
| 合計 | ~4,912 | 產能利用率趨近滿載 | — |
AI 伺服器 MLCC 月產能需求預估:2026:400億顆(+200億顆增量);2027:1,000億顆(+600億顆增量);2028:2,000億顆(+1,000億顆增量)。大廠擴產增量:2026:250–300億顆(+5–10%),遠不及需求缺口。
高容 MLCC 專項產能(買方研究,2026-06-22)
來源:memo_AI半導體周更_20260622(買方 Channel Check,2026-06-22)
此表針對「高容 MLCC」(High-content MLCC)產能,與上方群益總產能表(含低容/消費品)定義不同。
| 廠商 | 當前月產能 | End-26 目標 | 2027 目標 |
|---|---|---|---|
| Murata(村田) | 2.6億顆 | 3.5億顆 | 8.0億顆 |
| SEMCO(三星電機) | 3.2億顆 | 4.0億顆 | 7.0億顆 |
| Taiyo Yuden(太陽誘電) | 7千萬顆 | 1.8億顆 | 4.0億顆 |
| TDK | 7千萬-8千萬顆 | 1.2億顆 | 3.0億顆 |
補充觀察(同來源):
- MLCC 合約價:Murata + SEMCO 已漲 15%;SEMCO 另計畫對代理商再漲 ~20%
- NP0 / XR7 小顆高容最緊缺:供應商為 3026_禾伸堂(市) 和 6173_信昌電(市),任何廠商均未計劃擴產此品類
- 高容 MLCC ASP:人民幣 11,700 元 / 千顆
- 中國廠商:風華 + 三環 通過認證後可望進入,風華認證進度領先
國巨漲價幅度(群益,2026-06-24)
| 規格 | 型號 | 平均漲幅 | 中位數 |
|---|---|---|---|
| X6S | 0805 | 88.0% | 52.4% |
| X5R/X6S | 0603 | 57.8% | 34.1% |
| X5R | 0402 | 53.5% | 30.6% |
| NP0 | 0402 | 66.4% | 53.1% |
| NP0 | 0201 | 58.3% | 46.1% |
| X7R | 0805 | 31.2% | 27.3% |
| X7R | 0201 | 12.1% | 12.1% |
BB ratio 與稼動率(截至 2026-06-30)
| 廠商 | 產品 | BB ratio | 稼動率 | 交期 |
|---|---|---|---|---|
| 村田 | 高階 MLCC | 1.24 | 90–95% | 22–26 週 |
| SEMCO | MLCC | 1.1 | 85–95% | 20–24 週 |
| 太陽誘電 | MLCC | 1.25 | 85–90% | 18–22 週 |
| TDK | MLCC/電感 | 1.1 | 85–90% | 16–22 週 |
| 國巨 | MLCC/電阻/鉭質電容 | 1.2–1.3 | 80–90% | 12–18 週 |
| 華新科 | MLCC | 1.2 | 80–90% | 12–20 週 |
業界共識:交期 ≥90 天(≈13 週)即為漲價基準;目前所有廠商均已超過。村田 2026 訂單 booking 約為 2025 MLCC 產量的 1.7x。來源:Vastpeak,2026-06-30。
良率分層(高容 vs 標準品)
| 規格 | 良率 | 廠商 |
|---|---|---|
| 標準 MLCC(低容/消費) | ~95% | 台廠/日廠均可 |
| AI 高容 MLCC(日廠料號) | ~70% | 村田/SEMCO/太陽誘電 |
| AI 高容 MLCC(台廠,國巨) | ~30% | 國巨高容 |
高容良率低是有效產能隱形瓶頸:10μF 電容製程時間 1 小時(300–500 層),47μF AI 伺服器用需 3–4 小時(1,000–1,500 層),設備時間 ×3–4 + 良率 ×0.3–0.7,實際有效產能消耗 AI:標準 = 10:1。
稀土出口管制(高容 MLCC 關鍵風險)
高容 MLCC 的核殼(core-shell)結構依賴稀土元素形成均勻外殼(提供絕緣電阻與高溫可靠度)。中日關係惡化導致:
| 稀土元素 | 出口管制現況(截至 2026-06) |
|---|---|
| 鏑 Dy | 2025 年底起出口量維持 0 |
| 釔 Y | 2026 年前五個月出口量僅去年全年的 1.13% |
| 鈥 Ho | 列入兩用物項,對日出口須逐案審批 |
衝擊主要集中在日韓廠(村田/太陽誘電/SEMCO),因為它們是高容 AI MLCC 主力且自製高階粉體。台廠高容技術較弱,受直接衝擊較小,但若日廠供給受壓,反而可能帶動外溢訂單增加。來源:Vastpeak,2026-06-30。
全球市場規模(參考)
| 年度 | 全球 MLCC 市場(USD bn) | YoY | 雲端 AI 47µF+ 需求(bn 顆) |
|---|---|---|---|
| 2025E | 14.7 | — | 4 |
| 2026E | ~17 | +16% | ~10(+150%) |
| 2027E | ~20 | +18% | — |
| 2028E | 24.3–30+ | — | — |
| 2030E | — | — | 38 |
- MS 2022-06-22:CAGR 2025-28E 18%(vs 過去 10 年平均 6.5%)
- JPM 2026-06-12(Asian MLCC):MLCC 行業 TAM 超 $30B(2025-28E CAGR 24%);OPM 2028E 38%(vs 2018 高峰 36%)
JPM 亞洲 MLCC 供需(S&D)模型(2026-06-12)
來源:報告_JPM_亞洲MLCC產業_S&D供需模型_20260612
| 時間 | 供需狀態 | 備註 |
|---|---|---|
| 2025 | 供過於求 10% | 過渡期 |
| 2026E | 趨緊 | 稼動率衝破 90% |
| 2028E | 短缺 6% | 廠房空間成硬性瓶頸 |
- ASP 漲幅預測 2026-28:+50%+ (類似 2016-18 週期)
- 本輪週期緊張程度略高於 2017-18 週期(大廠 EOL + 首次雲端算力/第一代 EV 拉動)
- AI 伺服器 1005-47µF 組裝良率比一般 MLCC 低 3-6x,「名目產能」與「有效產能」差距加速擴大
- 2026-2028 產能增長率受有效損耗(trade loss)影響:衝擊從過去 5 年低個位數% → 未來 3 年雙位數%
- 偏好日/台 vs 韓(估值角度):JP(村田 > 太陽誘電 > TDK)、TW(國巨)> KR(SEMCO)
Aletheia Capital 資料中心 MLCC 需求更新(2026-06-16)
來源:報告_AletheiaCap_MLCC容量移轉漣漪效應_20260616
| 指標 | 數字 | 備註 |
|---|---|---|
| 村田 DC MLCC 成長展望(舊) | 30% CAGR | FY25-30 |
| 村田 DC MLCC 成長展望(新) | 80% CAGR | 上調:CSP 支出超預期、Vera Rubin 2x、TPU training 需求 |
| 村田 FY26 訂單簿 | FY25 產量 1.7x | current order book vs FY25 production |
| 村田考慮產能移轉 | 10-20% 從一般品 → AI/DC | 相當於 JPY100-200bn;= 台灣國巨+華新科 FY25 MLCC 合計 |
| AI MLCC 容量消耗比 | 10:1 vs 一般 MLCC | 因大尺寸/多層/良率低(~70% X6S/X7R) |
| 國巨 B/B ratio | 1.3(2026-06) | 稼動率 75% → 4QFY26 可能衝破 90% |
| 邊際利潤率(村田) | 65% | 稼動率/銷售額提升對 OP 的 incremental margin |
| OP CAGR(Aletheia 預估) | 村田 50%、太陽誘電 90%(至 FY3/29) | 不含漲價的保守假設 |
漲價週期(2025-2026)(參考)
漲價路徑
- 2025Q4:Murata/SEMCO 首先對 IT MLCC 漲價(消費低容先漲)
- 2026Q1:Taiyo Yuden 對消費/車用低容 MLCC 漲 6-13%
- 2026Q2:台灣 ODM 低容 MLCC 漲 5-100%(視規格),合約客戶漲 20-30% QoQ
- 2026Q3(預期):高容 105/106 跟進漲價;電阻漲 ~50%(廣發 6/15 預估)
- 2026H2-2027:供需缺口持續,進一步漲價
現貨 vs 合約價差
2026 深圳現貨(部分規格,0805 27µF)YTD 漲 ~6x;Taiyo Yuden 等廠商合約漲 20-30% QoQ。MS 指出 2017-18 超級週期峰值現貨漲幅達 10-20x,目前漲幅仍遠低於峰值。
比較:2018 vs 2026 超級週期
| 特性 | 2017-18 超級週期 | 2025-26 超級週期 |
|---|---|---|
| 主驅動 | EV 採用 + 5G 智慧機 | AI 伺服器 + AI 推理 |
| 性質 | 量需求(volume) | 規格升級(quality)+ 量需求 |
| 持續性 | 1-2 年 | 結構性,預估 3 年以上 |
| 峰值漲幅 | 現貨 10-20x | 目前 5-10x,遠低於峰值 |
| 供應回應速度 | 較快 | 較慢(高端設備內製、良率低) |
K 型週期分化(財通,2026-06-01)
核心觀點:本輪 MLCC 上行週期呈現「K 型分化」——高端與中低端價格彈性截然不同。
| 分類 | 驅動 | 漲價情況 | 持續性 |
|---|---|---|---|
| 高端 AI/車規 MLCC | AI 伺服器需求高增 + 產能剛性 + 成本傳導 | Murata 高端品漲 15-35% | 持續性強;結構性缺口至少 2H27 |
| 通用消費品 MLCC | 訂單外溢 + 成本傳導 | 溫和修復(台系 5-100%,合約 20-30% QoQ) | 較弱;需求持續性低於 AI/車規 |
表 13(財通):K 型分化邏輯:
| 因素 | 高端 AI/車規 | 通用消費品 |
|---|---|---|
| 需求強度 | 機架用量 8-10x 傳統伺服器;每年 30% 以上增速 | 手機/PC 低個位數增長或下滑 |
| 供給彈性 | 設備自製 + 2 年擴產週期 + 良率限制 | 大陸廠商有一定額外產能 |
| 漲價幅度 | 15-35%(日系);合約逐季推進 | 5-30%(短期外溢驅動) |
| 持續時間 | 結構性,≥2 年 | 週期性,短暫 |
中國 MLCC 市場動態(UBS,2026-05-29)
行業估值再評級
MLCC 價值鏈平均 PE 自 2026 年 2 月 28x → 2026 年 5 月底 59x,主要反映 AI 伺服器需求能見度大幅提升。
中國廠商 TP 上修(UBS,2026-05-28)
| 中國廠商 | 評等 | 新 TP(人民幣) | 舊 TP | 上修 % | 當時股價 | 隱含上漲空間 | 2027E EPS | 2028E EPS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 三環集團(Three-Circle) | Buy | 159.0 | 108.0 | +47% | 132.11 | +20% | 2.7 | 3.5 |
| 國瓷材料(Sinocera) | Buy | 65.0 | 49.5 | +31% | 52.99 | +23% | 1.0 | 1.2 |
| 浙江洁美(Zhejiang Jiemei) | Buy | 86.0 | 45.9 | +87% | 69.82 | +23% | 1.4 | 1.9 |
| 博謙新材(Boqian) | Neutral | 187.0 | 109.5 | +71% | 182.45 | +2% | 2.9 | 4.1 |
UBS 以 59x 2027E PE(前值 43x)評估三環,隱含 2027-29E EPS CAGR 28%。三環 MLCC 市場份額 2025→2029E 目標從 3% 提升至 ~10%(全球 100bn RMB 市場)。
最新供需觀察(UBS 虛擬會議,2026-05-22)
- 南中國代理商:H2 2026 MLCC 缺口預計更緊;AI 伺服器高容 MLCC 佔用大量產能,波及所有等級缺貨
- 中國庫存水位:約 1 個月(偏低),補庫困難,大陸廠商幾乎滿產
- SEMCO 計劃對代理商漲價 ~20%(like-for-like);其他廠商取消折扣政策
- 三環集團 Q1 2026 營收 +46% YoY;風華高科 Q1 2026 +19% YoY
- 日韓廠產能向高附加值 AI MLCC 傾斜 → 中低端外溢窗口打開
洁美科技(Jiemei)上游材料擴產
- 載帶:滿產,正與客戶協商提價 ~10%
- 離型膜:正協商提價 ~30%;天津/肇慶新產能 H2 2026 量產 → 月產能從 10m sqm → 40m sqm
- 收購 AFiSy Technology(離子束拋光機主要中國製造商)
AI MLCC 電路位置規格(日電貿座談,2026-07-08)
來源:memo_日電貿_MLCC座談_20260708(日電貿,2026-07-08)
| 電路位置 | 主要規格 | 供應商 | 緊缺程度 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 主機板去耦(核心算力) | 0201 10µF X6T 2.5V;0402 47µF X6S 2.5V;0603 100µF X6S 2.5V | Murata(完整)、Samsung(完整)、Kyocera/TYU(次) | ⭐⭐⭐⭐ | 僅日韓兩強有齊全供貨能力;台廠良率顯著低 |
| VPD(垂直供電,ASIC 端) | 1210 10-33nF NP0/C0G 1kV(LLC 諧振);1206 4.7-10µF X6S/X7R 100V | 3026_禾伸堂(市)(台,NP0 >60% 市占) | ⭐⭐⭐⭐⭐ | VPD 為 ASIC 客戶主要供電架構;LLC 諧振高壓品最緊缺 |
| 電源側高壓(PSU/VRM) | 100V+ 高壓 MLCC(NP0/X7R) | 禾伸堂、6173_信昌電(市)、風華高科 | ⭐⭐⭐⭐⭐ | 日韓廠不願回頭擴產此品類;台廠供應最受惠 |
| 鋁電解電容(Bulk Cap) | 大容量低 ESR | 日本三大 CON(尼吉康/紅寶石/日本化工)主導;8042_金山電(市)、鈺邦台廠 | ⭐⭐⭐ | AI 電源端規格升級拉動 ASP;日本廠短缺外溢 |
| 鉭電容(Tantalum Cap) | 鉭固態電解電容(Tantalum Polymer) | 2327_國巨(市)(Vishay 收購後全球第一) | ⭐⭐⭐ | 國巨為全球第一大鉭電容廠,Rubin BOM 受惠;供需偏緊 |
補充觀察(日電貿分銷商視角):
- 日電貿採固定手續費模式;AI MLCC ASP 高 → 即使相同數量成交,手續費絕對值提升 → 整體淨利率改善
- 日電貿 2025-2026 AI 伺服器分銷及海外分銷佔比顯著提升,是 AI 週期主要受惠分銷商
相關技術
- 供應鏈_被動元件(MLCC 在 AI 伺服器 BOM 的完整供應鏈位置)
- 技術_800VDC供電架構(800V HVDC 升級拉動高壓 NP0/MLCC 需求)
- 技術_ABF載板(嵌入式 MLCC / 矽電容的下世代載板整合)
來源
- 報告_Citi_村田製作所_20260629 — Citi Research,2026-06-29(村田升評 Buy;AI GPU board 每塊 ~11,000 MLCC vs 一般伺服器 ~2,000;100µF 成未來標準;Murata AI MLCC 市占 ~50%;FY3/27 OP ¥440bn、FY3/28 ¥630bn、FY3/29 ¥800bn)
- 報告_MS_AI半導體MLCC_20260623 — Morgan Stanley(Shawn Kim / Charlie Chan / Nigel van Putten / Daisy Dai / Lydia Lin),2026-06-23(Global Technology Webcast;AI server MLCC demand approaching $1B by 2027;top 5 MLCC suppliers ~87% global market share;Taiwan MLCC monthly sales growth turning positive)
- 報告_Vastpeak_被動元件產業_20260630 — Vastpeak,2026-06-30(BB ratio/稼動率/交期全廠對比、2025 市占率、良率分層、稀土管制現況、TCC 圖解)
- 報告_MS_MLCC超級週期_20260622 — Morgan Stanley,2026-06-22(市場規模、供需、廠商分析、SEMCO 矽電容大單)
- 報告_廣發HK_MLCC產業_20260615 — 廣發HK,2026-06-15(漲價觀察、VR200 用量、電阻漲價)
- 報告_GS_MLCC產業_20251015 — Goldman Sachs,2025-10-15(早期 MLCC 供需緊俏判斷)
- 報告_JPM_MLCC產業_20260403 — JPMorgan,2026-04-03(供需結構)
- 報告_銀河證券_MLCC深度報告_20260528 — 銀河證券,2026-05-28(中國市場視角)
- 報告_GS_國巨2327_20251031 — Goldman Sachs,2025-10-31(國巨 AI 曝險 10-12%)
- 報告_國票_國巨2327_20260617 — 國票投顧,2026-06-17(Rubin BOM 暴增分析)
- 活動_大摩閉門_存儲MLCC_20260612 — Morgan Stanley 閉門,2026-06-12
- 活動_MLCC_專家會議_20260623 — 專家會議,2026-06-23
- 報告_国信证券_MLCC行業十問十答_20260623 — 国信证券,2026-06-23
- 報告_JPM_MLCC供需偏緊_村田6981JP — JPMorgan
- 報告_UBS_中國MLCC產業_20260529 — UBS,2026-05-29(中國 MLCC 廠商 TP 上修、行業 PE 28x→59x、H2 2026 缺口預期、Jiemei 擴產)
- 報告_財通證券_MLCC電子行業_20260601 — 財通證券,2026-06-01(K 型分化、GB300 平台 30k/440k 用量、AI 伺服器 8-10x、中國廠商格局)
- 20260626_0803_20260624__群益被動元件講座_定錨(給客戶版) — 群益證券,2026-06-24(VR200 MLCC 用量拆分 725K;供給端產能表;國巨漲價幅度;Hybrid 電容成為 VR200 主流;Panasonic 七月漲價計畫)
- memo_日電貿_MLCC座談_20260708 — 日電貿,2026-07-08(AI MLCC 電路位置規格分層、Murata+Samsung 能力獨佔確認、電源側 VPD 規格、2026→2027 顆數+1倍容值+5倍、4Q26-1Q27 台灣 AI 拉貨峰值、日系擴產 10-20%、鉭電/鋁電解動態、分銷商 ASP 效益)
- memo_AI半導體周更_20260622 — 買方 Channel Check,2026-06-22(高容 MLCC 專項產能表:Murata 260M→800M/月、SEMCO 320M→700M、TYU 70M→400M、TDK 70-80M→300M;NP0/XR7 無廠商擴產、最緊缺;合約價漲 15%;高容 ASP RMB 11,700/千顆)