2327_國巨(市)

基本資料

國巨(YAGEO Corp.),全球第三大 MLCC 廠、全球最大電阻廠、全球最大鉭電容廠,透過收購 Kemet(2019)、Chilisin(2021)、Shibaura Electronics(進行中)等擴大全球規模,目前在 32 國營運、53 座生產基地、20 個研發中心,擁有 6 大類、82 種被動元件產品線。在 AI 伺服器供應鏈中,是 Nvidia Rubin(VR200)平台少數能同時供應高階 MLCC、鉭電容、電感、電阻的全方位被動元件解決方案供應商。

主要資料來源:報告_MS_國巨2327_TP上調_20260612(MS,2026-06-12)、報告_國票_國巨2327_20260617(國票投顧,2026-06-17)、報告_GS_國巨2327_20251031(GS,2025-10-31)。

核心競爭優勢

  • 全方位被動元件:MLCC(全球第三)+ 電阻(全球第一)+ 鉭電容(全球第一)+ 電感(高功率)+ 感測器,是 AI 伺服器板材設計最完整的台廠供應商
  • Rubin 全方位供應:Nvidia L10/VR200 機架少數能同時供應高階 MLCC、鉭電容、電感、精密薄膜電阻的全方位廠商;單機架貢獻從 GB200 時代 USD 6,000-8,000 → Rubin 時代 USD 1.5-2萬(國票 6/17 估計)
  • 鉭電容獨特優勢:AI 曝險 30-40%,AI 電流需求下鉭電容供需持續緊俏(Mexico 擴產 10-20%);鉭電容毛利高出企業平均 ~10ppt
  • 轉型邏輯明確:從消費被動元件廠轉型高端解決方案供應商,Kemet/Chilisin 整合提升高端比例,Shibaura 並購強化車用/工業精密電阻布局
  • 訂單外溢受惠:Murata/SEMCO 將產能轉向 AI,消費品標準 MLCC 缺口流向台廠,國巨非 AI 訂單外溢效應 2Q26 開始顯現(如 22µF/10µF 高容 MLCC)

產品與應用

產品全球排名AI 伺服器角色AI 曝險(2026E)
MLCC第三高容量 AI MLCC + 訂單外溢逐步提升中
電阻(R-chip/薄膜)第一精密薄膜電阻(Rubin +70-100%用量)約 10-15%
鉭電容第一電源供應穩定(GB200→Rubin +84-120% 用量)30-40%
電感(功率)第三TLVR 雙迴路電感(Rubin +80%)約 10-15%
感測器溫控/液冷漏液/高壓偵測(Rubin +77-100%)小但成長快

Rubin VR200 vs GB200 被動元件用量增幅(國票 6/17)

類別GB200 用量VR200 用量世代增幅
電容(MLCC+鉭)29-44 萬顆66-81 萬顆+84-120%
磁性元件(電感)7,500-11,550 顆15,080-20,880 顆+80%
電阻37-56 萬顆74-95 萬顆+70-100%
感測器850-1,330 顆1,700-2,365 顆+77-100%
整機架 BOM 被動元件總值USD 1.2-1.5 萬USD 3.5-4.5 萬~3x

EPS 記錄

季度EPS(NT$)YoY備註
2024A(全年)NT$00-38.13GS/MS 不同口徑
2025A(全年)NT$51(季度換算 45-46 元?)+20.78%國票數字(全年 FY25)
1Q26 實績**NT90;MS: NT$9)+44.69% YoYRevenue 381.7 億(季增 6%,年增 23%);GM 38.1%(季增 0.8ppts);OP 96.1 億(季增 10%,年增 49%)
2Q26ENT14(President)+101.8% YoY國票 6/17;President: Revenue 406.6 億(季增 6%);GM 38.7%

1Q26 產品組合(President 報告)

產品佔比應用佔比
MLCC19.0%工業29.0%
鉭電容24.3%Computing(AI 為主)24.9%
電阻13.5%消費13.0%
磁性元件(電感)25.2%車用17.1%
感測器13.0%電信11.7%
Others5.0%Others4.3%

AI 佔比(1Q26):14-15%(國票/President 共識);積壓訂單為歷史新高;部分訂單能見度已覆蓋至 2H26。

注意:各報告 EPS 格式不同,GS 10/31 起改為季度 EPS,MS/國票 仍使用年度 EPS;以下 EPS 預估表皆為年度全年數字。

EPS 預估

年度GS 7/29(2025-07-29)GS 10/31(2025-10-31)MS 2/22(2026-02-22)MS 4/15(2026-04-15)MS 6/12(2026-06-12)國票 6/17(2026-06-17)MS 6/22(2026-06-22)NMR 7/1(2026-07-01)
2025ANT$(原始數值待核對).43NT(原始數值待核對)NT$(原始數值待核對).73NT$(原始數值待核對).51NT$(原始數值待核對).51NT$(原始數值待核對).51NT$11.51NT$11.51
2026ENT$(原始數值待核對).23NT(原始數值待核對)NT$(原始數值待核對).75NT$(原始數值待核對).64NT$(原始數值待核對).19NT$(原始數值待核對).59NT$20.59NT$20.87
2027ENT$(原始數值待核對).12NT(原始數值待核對)NT$(原始數值待核對).68NT$(原始數值待核對).13NT$(原始數值待核對).71NT$(原始數值待核對).32NT$35.13NT$33.15
2028ENT$(原始數值待核對).87NT$(原始數值待核對).85NT$48.00NT$45.00

MS 6/12 大幅上調 2027E(NT(原始數值待核對).13,+60%):因 MLCC 供需緊俏擴散、AI 吸收產能效應比預期強。GS 10/31 是季度 EPS×4 換算,與其他報告口徑不同,僅供參考。NMR 7/1(野村)估值切換至 2028F EPS 30x,GM 從 2025A 36.2% 擴張至 2028F 48.3%(尚低於 2018 高點 63.3%)。

目標價與評等

券商報告日評等目標價評價基礎來源
Goldman Sachs2025-07-29BuyNT$(原始數值待核對)12.8x 2025-26 avg PB/ROE報告_GS_國巨2327_20250729
Goldman Sachs2025-10-31BuyNT$(原始數值待核對)15.0x 2026E PB/ROE(上調)報告_GS_國巨2327_20251031
Morgan Stanley2026-02-22OWNT$(原始數值待核對)21x/18x 2026/27E P/E報告_MS_國巨2327_20260222
Morgan Stanley2026-04-15OWNT$(原始數值待核對)19x/17x 2026/27E P/E報告_MS_國巨2327_20260415
Morgan Stanley2026-06-12OWNT$1,355~32x 2028E P/E(PEG 0.8x)報告_MS_國巨2327_TP上調_20260612
國票投顧2026-06-17買進NT$1,27545x 2027E PER報告_國票_國巨2327_20260617
Morgan Stanley2026-06-22OWNT1,355)32x 2028e P/E(residual income model)報告_MS_國巨2327_20260622
總統(President)2026-05(1Q26)中立NT$(原始數值待核對)60(↑從 230)15x 2026E P/E;非 AI 訂單能見度低報告_President_國巨2327
Nomura2026-07-01BuyNT415)30x 2028F EPS NT$45.0報告_NMR_國巨2327_20260701

MS 6/12 單次上調幅度驚人:NT1,355(+34%)。核心論點:AI 吸收高端 MLCC 產能,帶動中低容 MLCC 供需收緊,國巨中低容受益於訂單外溢;AI 基礎設施需求比預期更結構性。

VR200 vs GB300 MLCC 美元含量(大摩閉門 2026-06-12)

指標數字備註
VR200 vs GB300 MLCC 美元含量增幅+182%含高容 + NP0 + 輸出端全品類;dollar content,非 unit count
47μF 以上高容 MLCC 需求增幅+210%VR200 GPU 用量爆增(0402/0603 大容值)
渠道庫存水位5.5 個月 → 4.8 個月2026-06 持續去化中
鉭電容漲幅>100%(高端高分子)AI 平台供需缺口最強的產品

與廣發 HK(6/15)的 VR200 vs GB200 電容 550k(+83%,unit count)相比,大摩閉門(6/12)採用 dollar content 口徑(+182%),差異在於 Rubin 高容 MLCC ASP 大幅提升使 BOM 金額增幅遠超用量增幅。

AI 伺服器機架電容位置說明(國巨2327_會後 Q&A)

AC 輸入 120V
  → Power Shelf(鋁電解電容 bulk,450V):120V → 48V bus
     → 48V Spine 分電到各 Compute Tray
        → Tray IBC(鉭電容 + MLCC):48V → 12V → 1V
           → CPU/GPU 端(MLCC 去耦)
  • Power Shelf 內:主要用鋁電解電容(金山電牛角型);120V→48V 轉換
  • Tray 上:鉭電容(KEMET/國巨主力)+ MLCC(高容 AI 品);48V→1V 多級降壓
  • 估算整機架 MLCC 總量:GB300 約 50萬顆/rack(國巨 Q&A 估計,後市場估計 Rubin 可能 double)

鉭電容深度(2026-06-24 大陸專家)

鉭電容 AI 伺服器用量與 ASP

平台每機架鉭電容數量平均 ASP機架鉭電容總值
GB2003,600 顆~RMB 4/顆~RMB 14,400
GB300>5,000 顆~RMB 5/顆~RMB 25,000
Vera Rubin(VR)>7,000 顆>RMB 6/顆>RMB 42,000

Rubin 鉭電容總值(7,000 顆 × 6 元)≈ 跟 MLCC 機架總值相當。鉭電容 GM 40-50%。

高端 eSSD 額外需求

  • 一般 HDD:鉭電容 8 顆 × 普通容值
  • eSSD(企業級):32 顆 × 470μF 高分子聚合物鉭電容,ASP >RMB 8/顆
  • eSSD 市場規模數十億元,是 AI 伺服器之外另一塊獨立需求

全球鉭電容市占率

廠商整體市占伺服器市占備註
KEMET(國巨旗下40%70%高端高分子聚合物領導者;Rubin/GB300 70% 指定
AVX(Kyocera)20%不積極擴產
SANYO/松下14%15%2H27 可能擴 1 條(+20%)
VISHAY10%10%主打軍工航天,不積極擴產

鉭粉供應鏈風險(2026-06 現況)

  • 鉭粉價格:年初 RMB 4,000/kg → 2026-06 RMB 6,000+/kg(+50%)
  • 主要產地:剛果 30%(戰亂)、巴西 20%、澳洲 15%、盧旺達 8%、中國餘量
  • 中國將鉭粉列為戰略儲備資源收緊出口,2025 年縮 300 噸 → 2026 年計劃縮 1,000 噸(增加 3 倍)
  • 國巨對策:與巴西礦場簽長期合約

擴產節奏

廠商擴產計畫時程
國巨(KEMET)再加 1 條線2H26
國巨(KEMET)再加 1 條線1H27
松下1 條線(+20%)2H27
Vishay不擴產
Kyocera不擴產(暫時)

擴產設備:美國 Sinter(高溫真空燒結爐,1,600°C;MLCC 只需 1,300°C)+ 三菱重工雷射切片機。交期約 1 年。國巨去年就下訂,2026 年 8 月才進機。

國巨 MLCC 對鴻海漲價確認(買方研究員,2026-06-15)

  • 國巨已對鴻海(Hon Hai)大客戶確認 MLCC 漲價 30-40%,與村田(Murata)相同幅度
  • 村田已漲價但未發布正式公告;Murata CEO 在 6/13 週五會議上公開否認漲價,近期股價承壓
  • 電感(choke/transformer)確認 2026 年 7 月起漲價,幅度至少 100%

資料來源:memo_AI半導體_top_picks_UMC_Kaori_ABF_Yageo_Delta_20260615(2026-06-15)

此確認比國票 6/17 報告更早(6/15),且更明確點名漲幅(30-40% MLCC + 100%+ 電感),與買方核查一致。

MLCC UTR(2026-05-27 大陸專家)

細分UTR變化
AI 應用高端 MLCC85%
傳統標準品 MLCC75%從 70% 提升
國巨整體平均~80%去年 70%,1Q25 67%→2Q25 70%→1Q26 72%,持續上升

Vastpeak 更新(2026-06-30):國巨 BB ratio 1.2–1.3、稼動率 80–90%、交期 12–18 週;高容 MLCC(AI 伺服器用)良率 ~30%(vs 日廠 ~70%),是 台廠追趕日廠高容 AI MLCC 的最大技術差距。國巨市占率 2025 年全球 5.4%(Murata 40.8%、SEMCO 22.5%、Taiyo Yuden 11.3%、TDK 6.9% 之後)。


MLCC 應用下游結構(2026-05-21 專家)

應用比重高階高容占比說明
工業(含 server、DC、風電、機器人)~25%~12%(工業一半)server 單獨佔總 MLCC ~7-8%
手機/通訊(含 5G、網通、交換器)~30%~10%(通訊三分之一)高頻品用銀漿/鈀漿,村田最強
汽車~14%全部視為高階TDK 高壓 MLCC 壟斷;充電樁 800V 需求升溫
家電消費~14%好做,台廠/陸廠可供
PC 資訊~16%低(AI notebook 逐步提升)Notebook 每月 >1,000 萬台,用量大但不高階
合計高階高容<38%其餘 ~62% 為中低階,台廠/陸廠可供

Vera Rubin MLCC 需求增量(2026-05-21 專家)

  • Vera Rubin vs GB300 MLCC 用量:+60%(功耗 1.4kW → 2.2kW+,+50% 功耗但 MLCC 用量增幅更大)
  • GB300 以後 NVIDIA 可能四機櫃併櫃至 288 GPU,屆時 MLCC 用量可能再翻
  • 三星電機預估 2027 年成長動能有機會超過村田(AI 高容產能擴充效益顯現)

主要供應商擴產進度(2026-05-21 專家,對比)

村田

  • 日本廠房:2026-06 完成,Q4 才有產量釋出(35億顆高容/月)
  • 2Q26 宣布追加 800億日圓(年內 400億 + 2027-28 400億),估計 2029-30 完工
  • 年增節奏:穩健 8-10%/年,不大幅躁進

三星電機

  • Q4’25 良率改善(80%+),Q1’26 才決定菲律賓廠投資 6億(預計 +30億顆/月)
  • 最快 2027 Q1 才有產量
  • 天津廠第二期:+100億顆,主攻車規/機器人/通訊(非 AI 高容)
  • 今年起 NV 採購合約由季轉年(鎖定產能);NV 擔心日本廠商供應風險

太陽誘電

  • 江蘇常州(車規/通訊):第二期 2026-27 再 +100億顆
  • 馬來西亞(機器人/通訊):2026 底完成
  • 韓國廠(高階 server 用高容 MLCC):7億投資,2027 完成,+40億顆/月

三環集團(中國,非台廠)

  • 月產能 400億顆,再擴 100億顆(其中 70億顆為高階)
  • 2026 Q1 起,可小批量量產 0805 47μF(高容 AI 伺服器用);1206 106 去年起已大批量
  • 成功出貨:比亞迪、蔚來;其他廠商仍在驗證

三環、風華高科 vs 台廠

  • 三環:目前可供應中國 server 廠(聯想、華為、浪潮)大尺寸高容;未打入 Google 等國際品牌
  • 風華高科:高階高容送樣評估中,尚未大規模量產;未打入海外市場

產業漲價週期分析(2026-06)

MLCC 漲價時程(廣發 HK + 国信证券)

產品類別ODM 漲幅時程備註
消費低容 MLCC(102-104)+5-100%3Q26太陽誘電 5月率先漲 6-13%;渠道現貨 104 已漲 >3x
中高容 server/industrial(105/106)+15-30%4Q26渠道現貨 106 已漲 >2x(過去 3 週)
Tier-1 OEM(Nvidia, Apple 等)+0-5%(小幅)長期合約保護,漲幅有限
全品類原廠漲價(预计)+30-50%(第一波)2H26 供需缺口顯現後国信:2Q26 還在「能供貨再漲」階段
2027 第二波漲價2027不會在同一年反複調價

景氣週期預估:至少延續至 2028 年(樂觀 2030 年);2018 年超級週期消費驅動全品類普漲,本輪 AI 結構性分化、高端高容領漲。

電阻(Resistor)漲價邏輯(廣發 HK 2026-06-15)

  • VR200 電阻用量:~50,000 顆/機架(GB200 數字未揭露,但 +70-100% 成長)
  • UTR 回升至 ~90%(2H26)→ 供需緊俏 → 漲價
  • ODM 端預期 3Q26 漲 ~50%,後續可能再漲(BOM 佔比極低,多輪漲價可行)
  • 受惠:國巨(電阻全球第一)、TA-I(2478)

轉產效率(国信证券 2026-06-23)

維度消費通用品AI 高容 MLCC說明
單線有效產出基準 100~20(5-10 倍產能佔用)製程節拍長、良率低
單價(代表料)幾厘/顆1-2 元/顆(0603 107/0402 47μF)AI 品單價約 10x
毛利率40-50%70-80%(個別 80-90%)高端料利潤槓桿

轉產時間:從產線切換到良率爬坡完成只需 半年(vs. 新建產能 1.5-2 年)。

圖片/架構圖

國巨 GM vs 股價(Jan-25 至 Oct-26):GM 從 2025 年初 ~34% 穩步擴張至 2026 年 38-40%(NMR 預估 2028F 達 48.3%),仍遠低於 2018 高點 63.3%,意味週期仍在早中期。股價在 2026 中旬出現加速上漲(TWD 1,140+)。資料來源:Nomura,2026-07-01。

AI Server MLCC Demand(US3M 急速成長至 2027 年 US550M)大幅上修,顯示 AI 基礎設施需求持續超出預期。資料來源:Morgan Stanley,2026-06-22。

Nvidia Rubin VR200 vs GB300 高容 MLCC(47μF+)佔比:VR200 系統高容 MLCC 比例從 GB300 的 18% 提升至 31%,高容品需求成長速度高於整體 MLCC 用量增幅,推動 BOM 美元含量增幅(+182%)遠超 unit count 增幅(+80%)。資料來源:Morgan Stanley,2026-06-22。

時間軸

時間事件類型重要性備註
2025-07-29GS 維持 Buy,TP NT$(原始數值待核對);AI 10% 以下,鉭電容需求強法說摘要⭐⭐BB ratio >1x 高端品
2025-10-31GS 大幅上調 TP NT(原始數值待核對);AI 曝險首次突破 10%(10-12%)重大上調⭐⭐⭐宣布 Mexico 鉭電容擴產 10-20%
2026-02-22MS 維持 OW,小幅上調 TP NT(原始數值待核對);4Q25 超指引季度更新⭐⭐1月營收 NT$(原始數值待核對) 億(+27% YoY)
2026-04-15MS 確認 MLCC 漲價,上調 TP NT(原始數值待核對);1Q26 超預期重要確認⭐⭐⭐MLCC 漲價正式確認(首次)
2026-06-12MS 大幅上調 TP NT1,355(+34%);AI 擴散至中低容 MLCC重大上調⭐⭐⭐供應收緊擴散論點成立
2026-05總統投顧(1Q26 後):EPS 3.90(+45% YoY);AI 14-15%;積壓訂單歷史新高財報後⭐⭐⭐GM 38.1%;鉭電容 24.3%、MLCC 19%、電感 25.2%
2026-06-15買方研究員:國巨確認對鴻海漲 MLCC 30-40%(與村田同幅),電感 7 月漲價至少 100%漲價確認⭐⭐⭐同日廣發 HK;先於國票 6/17 正式報告
2026-06-15廣發 HK:VR200 電容 550k(vs GB200 300k);電阻漲 50% 3Q26產業確認⭐⭐⭐廣發估 102-104 ODM 漲 5-100%;105/106 漲 15-30% 4Q26
2026-06-17國票 TP NT1,275;2Q26E EPS NT$(原始數值待核對).91(+102% YoY)大幅上調⭐⭐⭐Rubin BOM 3x、BB Ratio 1.4
2026-06-22MS OW,TP NT1,515(+12%);EPS 上調 13/14/12%(26E/27E/28E);AI MLCC TAM 舊估 US893M(2027);VR200 MLCC 571k 顆/機架(+80% vs GB300 320k)、BOM US1,530)財務上調⭐⭐⭐共識 2027/28E EPS 低估 32/37%;MLCC GM 2028E 預估 49.2%(vs 2018 高點 ~79%)
2026-06-24鉭電容專家:VR 用量 7,000 顆(vs GB300 5,000 顆),KEMET 伺服器市占 70%,鉭粉漲至 6,000/kg產業確認⭐⭐⭐國巨 2H26+1H27 各加 1 條產線
2026-07-01野村(Nomura)大幅上調 TP:NT1,350(+226%);EPS 28F NT$45.0重大上調⭐⭐⭐估值切換至 30x 2028F EPS;VR200 vs GB300 MLCC >3x;AWS Trainium 3 鉭電容
2026-2HVera Rubin(VR200)量產開始放量(預期)需求⭐⭐⭐被動元件 BOM 從 USD 1.5 萬→ USD 3.5-4.5 萬
2027Rubin 大規模放量;MLCC 漲價持續;鉭電容 AI 佔比 >50%(預估)需求/獲利⭐⭐⭐NMR 2027E EPS NT(原始數值待核對).32

供應鏈位置

  • 上游材料:BaTiO3 陶瓷粉末、鎳漿料、鈀/銀、鉭粉(鉭電容特殊原料)
  • 製造基地:台灣、中國(蘇州廠為高容量 MLCC 中心,2Q26 罕見滿載)、歐洲(Kemet)、墨西哥(鉭電容擴產)
  • 下游客戶:Nvidia(Rubin/GB300 計算板)、Google、AWS、Meta(透過 ODM/EMS)、汽車電子(歐洲/中國)、工業
  • 所屬供應鏈供應鏈_被動元件供應鏈_AI伺服器PCB技術_MLCC

相關公司

公司關係說明
NVDA.US(nvidia)下游(間接)Rubin VR200/GB300 的全方位被動元件供應商

注意事項

  1. 各報告 EPS 格式不一致(GS 10/31 起改季度格式,其他仍用年度),比較時需換算
  2. 國巨 MLCC 截至 6/17 尚未對 MLCC 跟進調漲,後續是否跟進是重要觀察點
  3. 股價已大幅上漲(YTD 2026 約 +379%,MS 6/22 數字),評價已在歷史高位
公司關係說明
4760_勤凱(市)上游材料MLCC 銅漿供應商,銅漿需求隨國巨 MLCC 景氣直接連動

來源

相關頁面

2026-08-10 Citi 更新

  • 260810_citi_yageo 記錄 2026 年 7 月營收 NT$16.1bn,月增 5%、年增 52%;Citi 認為 MLCC/被動元件價格調整自 3Q26 開始逐步反映,屬公司數據與券商解讀。
  • 被動元件稼動率超過 90%、book-to-bill 約 2.2 倍及長約溢價需求,支持 2H26 量價複合,但需求復甦、同業競爭與併購整合仍是反證條件。
  • Citi 目標價 NT$1,450、35x 2027E–2028E 平均獲利,屬 estimate/valuation thesis,信心:中。

來源補充(2026-08 新增)

  • 260810_citi_yageo — Citi,2026-08-10
  • 報告_MorganStanley_國巨_20260722:維持 OW,目標價 NT442 億,3Q26 預估 NT5.49;供應鏈調查指 2H26 直接客戶平均漲價約 30–40%。
  • 報告_Citi_國巨_20260723:維持買進、目標價 NT$1,500;7 月起 MLCC、鉭電容與鋁電容廣泛調價,涵蓋約 50% 營收,後續觀察價格傳導與非 AI 需求復甦。

2026-08-23 券商更新

  • 260729_citi_yageo:Citi 將 2026–2028E EPS 上修 11%–13%,維持 Buy、目標價 NT$1,450;2Q26 AI 營收占比 16%、BB ratio 2.2,屬 estimate/公司揭露,信心中。
  • 260729_gs_yageo:Goldman Sachs 記錄高階 MLCC 與 AI/記憶體長約需求,目標價 NT$1,280;與 Citi 目標價差異保留,未合併為共識。
  • 國巨(2327,B_買進)-CTBC260730:中信投顧目標價 NT$1,042、FY2027 EPS × 35x,並記錄高雄 Y3 廠提前布局,屬券商 estimate/valuation thesis。