LandMark Optoelectronics（3081 TT）
中文公司名待確認；英文名 LandMark Optoelectronics Corporation，TWSE 上市。
台灣 CW Laser（連續波雷射）領先廠，具備「磊晶→晶圓代工→後段」垂直整合能力；已取得美系 CSP 直接訂單。
公司概要
| 項目 | 內容 |
|---|
| 股票代號 | 3081 TT（TWSE 上市） |
| 英文名 | LandMark Optoelectronics Corporation |
| 核心產品 | CW Laser（連續波雷射）、雷射二極體（LD）、光偵測器（PD） |
| 製程特色 | 完整垂直整合：InP 磊晶 → 晶圓代工 → 後段（CoS/模組封裝） |
| 歷史 | 曾與 Intel 合作矽光子（SiPh）技術研發 |
| 市值（2025-11） | NT$40,062百萬（~USD 1.29B） |
技術優勢
CW Laser（連續波雷射）
- 矽光子（SiPh）收發模組的外部光源（External Light Source）
- 在 EML（Electro-absorption Modulated Laser）供給吃緊背景下，SiPh+CW Laser 方案快速滲透
- LandMark 已確保美系 CSP 直接訂單，為 CW Laser 第一波受益者
垂直整合能力
InP 底材 → LandMark 自有磊晶（MOCVD/MBE）→ 晶圓代工（自有）→ 後段製程 → 直供 CSP/模組廠
- 從磊晶原料至成品 turnkey 能力，使其可直接服務模組廠及 US CSP
- 2455_全新（市） 僅做磊晶；LandMark 整合能力更完整
InP 底材 2”→3” 轉換
- 中國 InP 底材出口管制（2025 下半年衝擊）：LandMark 主要用 2” InP 底材，受波及
- 3” 磊晶片認證（3” qualification）進行中，預計 2026 Q1 完成→解鎖更大尺寸、更高效率
- 2026E 投入 NT$360M Capex，為管理層對能見度的信心指標
圖片/架構圖
[待補來源圖] 需官方 IR 光纖元件或模塊實拍佐證，現有研究筆記不足以支撐產品示意圖。
財務數據
EPS 預估（Macquarie 2025-11）
| 年度 | 營收（NT$M） | EPS（NT$） | YoY成長 |
|---|
| 2024A | 1,208 | -0.6 | — |
| 2025E | 2,195（+82%） | 4.0 | NM |
| 2026E | 3,374（+54%） | 10.0 | +153% |
| 2027E | 4,582（+36%） | 13.7 | +37% |
- 2026–27E EPS CAGR：86%
- Datacom 收入占比 2026E：>85%
估值（Macquarie 2025-11）
| 項目 | 數值 |
|---|
| TP | NT$480（35x 2027E EPS） |
| 股價（2025-11-13） | NT$433 |
| 評等 | Outperform |
| 12M TSR | 11.1% |
| PER 2026E | 43.3x |
| PER 2027E | 31.6x |
損益概況
- 毛利率趨勢：2024A 毛利率低（239/1208 ≈ 20%）；2025E 顯著改善（903/2195 ≈ 41%）→ 2027E ~50%
- EBIT 2026E：NT$1,066M（+146%），EBIT margin 31.6%
- ROE 2026E：20.1%；2027E：22.6%
催化劑
| 事件 | 時間（Macquarie 預估） |
|---|
| 3” 磊晶片通過客戶認證 | 2026 Q1 |
| 下游模組廠良率問題解決 | 2026 Q1 |
| Datacom 收入顯著回升 | 2026 H1 |
| NT$360M Capex 落地擴產 | 2026 全年 |
供應鏈位置
InP 底材（歐日廠）→ LandMark（磊晶+晶圓代工）→ SiPh 模組廠 → CSP（Nvidia CPO / Google OCS）
關鍵風險
- InP 底材供應：3” 轉換進度若落後，影響 2026 H1 量產節奏
- 下游良率：下游模組廠封裝良率問題若持續，拖累拉貨
- SiPh 滲透速度：若 EML 供給改善，SiPh/CW Laser 滲透放緩
- 領導廠競爭：LITE.US（Lumentum）等規模更大的 CW Laser 廠
來源報告
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