全新光電（2455 TT）
英文名 VPEC（Visual Photonics Epitaxy）；TWSE 上市。
台灣最大 InP 光學磊晶片廠，800G PD 全球市占率 ~80%；CW Laser（矽光子 CPO 用）2026 Q3-4 量產。
公司概要
| 項目 | 內容 |
|---|
| 股票代號 | 2455 TT（TWSE 上市） |
| 英文名 | VPEC / Visual Photonics Epitaxy Co. |
| 主要製程 | MOCVD 磊晶（光學用 InP、微電子用 GaAs） |
| 核心客戶 | 光收發模組廠（北美、亞洲 CSP Tier-1 供應鏈） |
| 主要競爭對手 | IET-KY（4971，MBE 磊晶） |
業務分類（2025 → 2026E）
| 業務 | 產品 | 收入占比（2025CT / 2026CT） |
|---|
| 微電子 | GaAs PA/Wi-Fi 磊晶片（智慧手機） | 74% → 61% |
| 光學 | InP PD（800G/1.6T）、LD、CW Laser | 26% → 39% |
- 800G PD：全球市占率 ~80%，為 DataCenter 光收發模組主力供應商
- 200G PD：2026 Q2 進入量產
- CW Laser（連續波雷射，矽光子 CPO 用）：2026 Q3-4 量產，下一主要成長引擎
- InP PD/LD 毛利率 ~50%；GaAs 微電子 ~35%
財務數據
EPS 預估彙整
| 券商 | 時間 | FY25 | FY26E | FY27E | 評等 | TP |
|---|
| CLSA | 2025-08 | NT$3.36 | NT$6.13 | — | Outperform | NT215（升自NT150） |
| Macquarie | 2025-11 | NT$4.0 | NT$10.0 | NT$13.7 | Outperform | NT$480（35x 27E） |
| 元大投顧 | 2026-02 | — | NT$5.8 | NT$7.2 | 推薦 | — |
| 富邦投顧 | 2026-03 | NT$2.97 | NT$4.86 | NT$7.51 | Buy | NT$285（38x 27F） |
FY25 實際 EPS：富邦記錄 NT$2.97；CLSA/Macquarie 為預估值。估差異主因磊晶良率與 InP 底材供應衝擊認列時間不同。
季度業績（富邦 2026-03）
- 4Q25 EPS：NT$1.05（創歷史新高）
- FY25 EPS：NT$2.97
- 4Q25 光學收入：NT$2.8億（占比 29.3%，歷史新高）
年度營收（CLSA 2025-08）
| 年度 | 營收（NT$百萬） |
|---|
| 2025CT | 3,584 |
| 2026CT | 4,758（+33%） |
產品技術
InP 磊晶製程
- MOCVD（Metal-Organic CVD）：全新主力製程，速度快、成本低；適合大量量產 400G/800G PD
- MBE（Molecular Beam Epitaxy）：精度更高，IET-KY 競爭對手採用；適合 200G+ 高頻應用
CW Laser（連續波雷射）
- 矽光子（SiPh）收發模組的光源，替代 EML 方案（EML 供給吃緊）
- 全新與 3081_LandMark光電（市） 並列 CW Laser 主要供應商（台灣）
- 供應鏈_CPO 下游：NVIDIA、Google 等 CPO 方案均需 CW Laser
產能擴充
- MOCVD +25%（2Q25–4Q26）
- E-beam（電子束蒸鍍，後段磊晶用）+150%（2Q25–4Q26）
供應鏈位置
InP 底材（歐日廠商）→ 全新 MOCVD 磊晶 → 晶圓代工（穩懋 3105）→ CoS封裝（聯鈞 3450）→ 模組廠 → CSP
- InP 底材主要供應商過去依賴中國廠，2026 Q1 受中國出口管制衝擊；正轉向歐洲/日本 2nd/3rd 供應商
- 3105_穩懋（市）：GaAs/InP 晶圓代工夥伴
- 3450_聯鈞（市）：CoS（Chip on Submount）雷射封裝客戶
- 技術_光互連：光互連技術背景
關鍵風險
- InP 底材供應：中國出口管制導致 2” 底材供應不確定；歐日 3” 底材 2026 年 Q1-Q2 過渡期有交期風險
- 客戶集中：光學收入依賴北美 CSP 供應鏈需求節奏
- Skyworks/Qorvo 合併：手機 GaAs 業務影響有限（2026E 評估仍 OK，元大）
圖片/架構圖
[待補來源圖] 需官方 IR 化合物半導體磊晶晶圓或晶片產品圖佐證，現有研究筆記不足以支撐製程示意圖。
時間軸
| 時間 | 事件 |
|---|
| 2026 Q1 | InP 底材中國出口管制衝擊（供應過渡期） |
| 2026 Q2 | 200G PD 進入量產 |
| 2026 Q3–Q4 | CW Laser 量產啟動（矽光子 CPO 用） |
| 2026–2027 | MOCVD +25%、E-beam +150% 產能完成 |
來源報告
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