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供應鏈_被動元件

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tags供應鏈/被動元件, 技術/mlcc, 技術/llc諧振, 技術/np0, 技術/鋁電解電容, 技術/鉭電容, 技術/tlvr電感, 產業/ai伺服器, 環節/被動元件

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供應鏈_被動元件

供應鏈主軸

AI 機架功耗飛升（GB300 ~130 kW → VR ~200 kW+）驅動兩場同步革命：MLCC 從 DC 侵入 AC 電路（LLC 諧振），以及電壓從 48 V → 800 V HVDC 推動高壓規格全面升級。VR200 vs GB300 被動元件 BOM dollar content 增幅超過 3×（USD 1.5 萬 → USD 3.5–4.5 萬），且因 AI 產品線 ASP 比消費品高 4–7 倍、良率又低，擴產速度慢於需求——結構性緊缺至少延續至 2H27。

供應鏈結構圖

flowchart TD
    CSP["終端：Hyperscaler<br/>Google / AWS / Meta / MSFT"]
    GPU["AI GPU / ASIC<br/>NVIDIA Rubin / AMD / CSP ASIC"]

    subgraph PSU["AI PSU 電源架"]
        NP0["LLC 諧振電容 NP0<br/>禾伸堂（>60%）/ 村田 / TDK"]
        ALU["高壓牛角鋁電容（450V+）<br/>金山電 / Nichicon / Rubycon"]
        HYB["固態 / Hybrid 鋁電容<br/>金山電 / 鈺邦 / 松下"]
    end

    subgraph MB["AI Compute Tray / Motherboard"]
        HCV["高容 MLCC（0402/0603 GPU核心）<br/>村田 50% / SEMCO 30% / 太陽誘電"]
        X7R["X7R/X7S 高溫輸出端 MLCC<br/>國巨 / 華新科 / 禾伸堂（X8R）"]
        TAN["鉭電容（IBC/Tray 端）<br/>國巨KEMET 70% 伺服器市占"]
        TLVR["TLVR 電感（GPU VRM）<br/>乾坤第一 / 台慶科第二"]
    end

    MAT["上游材料<br/>BaTiO₃陶瓷粉末 / 鎳漿 / 稀土 / 鉭粉"]

    MAT --> NP0
    MAT --> HCV
    MAT --> TAN
    NP0 --> PSU
    ALU --> PSU
    HYB --> PSU
    HCV --> MB
    X7R --> MB
    TAN --> MB
    TLVR --> MB
    PSU --> GPU
    MB --> GPU
    GPU --> CSP

    classDef mlcc fill:#a5d8ff,stroke:#333
    classDef alum fill:#b2f2bb,stroke:#333
    classDef tan fill:#ffd8a8,stroke:#333
    classDef ind fill:#d0bfff,stroke:#333
    classDef mat fill:#ffc9c9,stroke:#333
    classDef cust fill:#fff3bf,stroke:#333
    class NP0,HCV,X7R mlcc
    class ALU,HYB alum
    class TAN tan
    class TLVR ind
    class MAT mat
    class CSP,GPU cust

AI 伺服器被動元件用量（世代比較）

機架MLCC 總量MLCC 美元含量高容（47μF+）電容總值（被動）鉭電容
GB200~30 萬顆基準基準USD 1.2-1.5 萬~3,600 顆
GB300 NVL72~44-60 萬顆基準基準USD 1.5 萬~5,000 顆
VR200（Vera Rubin）~88-100 萬顆（估）+182%（dollar content）+210%USD 3.5-4.5 萬大幅削減

資料來源：大摩閉門 2026-06-12（dollar content 口徑）；國票 2026-06-17（unit content 口徑 VR200 vs GB200 +84-120%）。口徑差異主因 VR 高容 ASP 大幅上升。

各環節廠商

LLC 諧振電容 NP0（AI PSU 最高毛利品項）

NP0（C0G）是唯一可在 AC 環境使用的電容材料，LLC 諧振電路是 AI PSU 提升效率至 90-95% 的關鍵拓樸；SiC MOSFET 普及後成主流，MLCC 取代傳統薄膜電容。

廠商地位備註
3026_禾伸堂（市）AI PSU NP0 龍頭，市占 >60%台達 / 光寶 / Flex 偉創力第一認證供應商；第二擴產 40 億台幣 3Q26 起
6173_信昌電（市）台廠 NP0 第二楊梅廠擴產，設備 3 個月到位（集團優勢）；六甲廠 3Q27 啟動

NP0（未建頁）：村田（NP0 AI PSU 技術強，但重心分散）、TDK（車用 C0G 市占 30-40%；AI PSU 第二供應 2027 年才切入）、三星電機（台達培植中，最快 2027）。

NP0 規格升級路徑（禾伸堂）

世代代表規格耐壓ASP（NT$）用量/PSU
H100 era103（1 nF）630V~0.110-20 顆
Blackwell GB103/223630V0.5-170-100 顆
Rubin VR333（33 nF）1,000V5.5-8100+ 顆（三相 PSU × 3）
Rubin Ultra1210 47nF / 1210 33nF 1,250V1,250V開發中更多

三相 PSU 需求倍增邏輯：PSU 從單相改三相（5.5kW → 18.3kW），每相各需一組 LLC 諧振電容 → NP0 用量 3×；BBU 未來走 400V-800V 後再加一組 LLC → 整體諧振電容需求 5-6× vs 傳統。

高容 MLCC（AI 主板 GPU/CPU 核心供電）

用於 GPU/CPU VRM 去耦旁路。最缺貨的三顆關鍵料：

規格應用位置主供備註
0201 / 10μF / X6S / 2.5VGPU/CPU 核心供電村田（幾乎獨供）最難做，全球僅 2-3 家能量產
0402 / 47μF / X6S / 2.5VVR GPU 附近村田 / SEMCO現貨掃貨現象，交期 20-24 週
0603 / 100μF / X6S / 2.5VVR GPU 附近村田 / SEMCO / KYOCERA台廠幾乎未能量產

高容 MLCC 市占（AI 伺服器）：村田 ~50%、三星電機 ~30%、太陽誘電 ~10%。

廠商地位備註
2327_國巨（市）台廠最大（中低容外溢）MLCC 全球第三；AI 主板 X7R/高容外溢受惠；漲價邏輯 2Q26 開始兌現

高容（未建頁）：村田（月產 1,400 億顆，高容 >80% 產能，UTR 接近滿載）、三星電機（月產 1,000 億顆，AI 良率 Q4’25 突破 80%，菲律賓廠 2027Q1 出量）、太陽誘電（月產 800 億顆，韓國廠 2027 完成；LTA 策略全轉）、華新科（月產 500 億顆，年增 10-15%）。

X7R/X7S/X8R 高溫高壓輸出端 MLCC（AI PSU 輸出端）

PSU 輸出端 48V 降壓段使用 1206 4.7μF 100V / 1210 10μF 100V / 0805 2.2μF 100V（Rubin 空間限制），標準應用。

廠商地位備註
3026_禾伸堂（市）X8R 台灣獨供（台達）1210 2.2μF 150V X8R；台達要求 50-60% 份額；村田最快 2027 進入
6173_信昌電（市）X7R/X7T，GB200/GB300 design-inMega Cap（插腳式）：NT$7-9/unit，AI PSU BBU 用量持續增加
2327_國巨（市）高容 + 外溢X7R/X6S 高容量外溢訂單接收主力；MLCC AI 佔比 ~14%

高壓牛角鋁電解電容（AI PSU 一次側 Bulk Cap）

AI PSU 電源端（AC/DC，450V+），傳統薄膜電容換 MLCC 之前的 bulk 儲能。隨機架瓦數提升每 PSU 用量從 5 顆（5.5kW）飛升至 15-16 顆（18.3kW）。

廠商月產能（2026-底）地位備註
8042_金山電（市）200 萬顆非日系第一，且將超越任一日系廣州廠；廣達 AI 泰國廠獨家供應；AWS 最大客戶；設備採購中國製（3 個月交期）
Nichicon（日系，未建頁）60 萬顆三大日系之一AI 保守，因 EV 擴產受傷
Rubycon（日系，未建頁）60 萬顆三大日系之二同上
Chemi-Con（日系，未建頁）80 萬顆三大日系之三同上

單顆 ASP：USD 8-10（保守）/ USD 10-12（積極）。北美 4 大 CSP 30 GW 資料中心計畫 → 高壓牛角 TAM $63-90 億 USD。

固態 / Hybrid 鋁電容（AI 機架低壓端）

二次側 DC/DC + IBC + POL（POL ≤ 35V 固態，35-80V Hybrid）。固態失效模式短路（安全）、Hybrid 開路（更安全、容量更大）。Hybrid 成長最快，POSCAP/高分子電容將被 MLCC 逐步取代（VR200 POSCAP 歸零）。

廠商地位備註
8042_金山電（市）台廠泰國廠唯一量產素萬那普廠 80mn/月（2026-07）；AWS 獨供廣達泰國廠
鈺邦（未建頁）台廠固態電容只做 Polymer 固態，無液態
松下（未建頁）日系 SP-cap2.5V 470μF SP-cap，GPU 端低壓大容量主流

鉭電容（Tantalum，AI 架構逐步削減）

AI 機架 IBC/Tray 端穩壓，但 NVIDIA 因地緣風險（鉭粉 80%+ 來自剛果/盧安達）主動降低依賴；VR200 鉭電容大幅削減，CSP 架構仍保留。

廠商地位備註
2327_國巨（市）（旗下 KEMET）全球第一（整體 40%、伺服器 70%）Rubin 每機架鉭電容 >7,000 顆（vs GB300 ~5,000 顆）；KEMET 2H26+1H27 各加 1 條產線；ASP 已漲 >100%

鉭電容（未建頁）：AVX/Kyocera（20%，不積極擴產）、松下/SANYO（15%，2H27 可能小擴）、Vishay（10%，主攻軍工不擴）。

鉭粉供應風險：年初 RMB 4,000/kg → 2026-06 RMB 6,000+/kg（+50%）；中國收緊出口（2026 年計劃縮減 1,000 噸 vs 2025 年 300 噸）。國巨已與巴西礦場簽長期合約。

TLVR 電感（GPU VRM 核心）

TLVR（Transient Linear Voltage Regulator）放置在每顆 GPU 旁邊（16 顆/GPU），一片主板 30+ 顆；功能是提供 GPU 核心電壓的超快速瞬態響應。

廠商地位備註
乾坤科技（未建頁）TLVR 台灣第一Delta 背後支持；份額 >30%
3357_台慶科（市）TLVR 台灣第二Super World Holding 新加坡關係；Rubin 第二代 TLVR（8 腳，NT$15/顆，+50% vs 第一代）

TLVR（未建頁）：TDK、Eaton、Murata（日系/歐美，前三名才有實質訂單）；HVDC 800V 電感（台達電是核心專利持有者，國際 Flex 小量）。

上游材料

材料說明主供廠商
BaTiO₃ 陶瓷粉末MLCC 電介質核心材料日本玠化學、美國 Ferro、日本化學（寡占）；6173_信昌電（市） 自製垂直整合
鎳漿 / 銀漿MLCC 內電極材料銀漿已大漲（+50-100%），影響台慶科電感 / 陳舊 NP0 規格成本
稀土元素NP0 / 高溫 MLCC 材料添加劑中國主導，出口管制風險；禾伸堂 / 信昌電已備庫
鉭粉鉭電容原料主礦剛果（30%）/ 巴西 / 澳洲；RMB 6,000/kg（+50% YTD 2026）

競爭格局

MLCC 技術層級分化

層級廠商技術指標市場定位
一類（頂端）村田 / 太陽誘電 / 三星電機介質層 1,200-1,600 層；AI 高容 90%+ 份額0402 47μF / 0603 100μF；禾伸堂 NP0
台灣中階國巨 / 華新科 / 禾伸堂 / 信昌電介質層 800-1,100 層外溢訂單 / NP0 / X7R-X8R
中國風華高科 / 三環集團介質層 700-1,000 層；AI 高容尚在驗證中國 server 廠（聯想/華為），不入 Google/AWS

日系高容轉產 AI 拋下中低容，台廠吃外溢訂單；但台廠高容良率低（50-60%），轉產能力有限。中低容 Commodity 話語權在台灣（國巨/華新科），高容在日韓。

本輪缺料 vs 2017-18 年的差異

維度2017-182026-27（本輪）
驅動TDK 700 億顆/月產能轉車用 → 全品類短缺AI GPU 用量爆炸 + 供給結構升級不及
缺料範圍全品類（包含低階消費品）高階高容為主；中低階外溢給台廠
漲價幅度現貨 100 倍 → 後來崩跌結構性 30-50% 第一波，每季 20-30% 滾動
擴產策略大幅躁進 → 隔年過剩保守（10-15%/年）；不想重蹈覆轍
供需持續短週期（1.5-2 年）AI 結構性需求，至少 2H27；樂觀 2030
台廠角色接全品類外溢、大幅擴產專注外溢 Commodity + NP0 / Mega Cap 特利基

漲價週期地圖（2026-2027）

MLCC 漲價順序

1. 現貨市場 / 通路商 先漲（已完成）
   → 高容（1μF+）現貨漲 3-5 倍；部分料號 10 倍

2. 通路商正式函告漲 30-50%（2Q26 進行中）
   → 5月第一輪 +30-50%，6月第二輪再 +20%

3. ODM 端（大廠季度議價）
   → 3Q-4Q 大廠暫停談判；下次議價 12月談 1Q27 價格
   → 消費低容 ODM: +5-100%（3Q26）
   → 中高容 server: +15-30%（4Q26）

4. 第二波調漲（2027）
   → 不在同一年反複調；預計 2027 再一波

各品類漲價狀況

品類漲價狀況（截至 2026-06）驅動
NP0 LLC 諧振已高位（NT$5.5-8）；市場蓋牌不公開供給寡占（禾伸堂主導）
0402 47μF / 0603 100μF現貨掃貨，部分料號 3-10 倍VR 備料潮
X7R 標準品ODM 漲 10-20%；通路 30-50%供給外溢減少
高壓牛角電容日系漲價醞釀中；金山電受惠功耗提升，用量激增
鉭電容>100% 自 2025 底鉭粉漲 + AI 用量增
TLVR 電感第一代 NT15規格升級

全球 MLCC 月產能 vs 擴產計畫

廠商月產能（億顆）年擴幅高容擴產
村田1,400-1,500+10%5.6億日圓＋800億日圓（2Q26 宣布）2029-30 出量
三星電機1,000-1,100+15%菲律賓廠 6億 → 2027Q1 出量
國巨（含 KEMET）~1,000+10-15%YF3 高雄廠（已滿載）；去瓶頸為主
太陽誘電800+10%韓國廠 7億 → 2027 完成
三環集團（中）600+17%高容 +70億顆/月
華新科500+10-15%六甲廠 2027 出量
風華高科（中）450有限—

設備瓶頸：升降爐（高端 NP0 必備）交期 1.0-1.5 年；堆疊機交期 ~1 年。新建產線 1.5-2 年。轉產（切換）僅需 6 個月（但良率爬坡另計）。

觀察重點（投資視角）

  1. VR200 量產放量節奏（最重要）：2H26 VR 開始放量 → 高容 MLCC 缺口爆發、高壓牛角電容 15-16 顆/PSU 需求（vs 5 顆）、NP0 三相 PSU 需求全面落地。
  2. 漲價傳導到 ODM 的速度：大廠（NVIDIA 等一線 OEM）不允許漲、從 2-3 線客戶 / 通路試水 → 傳導至一線的時間是主要不確定性。
  3. 禾伸堂第二擴產 40億 × 3Q26 進廠：燒結爐 30 台 + 宜蘭廠調整；2027 年產能能否如期 3-6× → 影響 2027E EPS 空間。
  4. 台達電 2nd Source 進程（三星/村田）：最快 2027 才能進來，這段時間禾伸堂仍是唯一真正供應商；一旦 2nd source 到位，禾伸堂市占將正常化至 50-60%（仍是主供）。
  5. 金山電牛角電容年底 200 萬顆：能否如期達成，以及台達電 AI PSU 端驗證通過時程——通過後 Tier 1 電源廠客戶擴充，估值重估。
  6. 鉭粉供應鏈：中國收緊出口政策是否如計畫執行（2026 年縮 1,000 噸）→ 鉭粉 RMB 6,000+/kg 再漲 → 國巨 KEMET 成本轉嫁時程。
  7. HVDC 800V 架構滲透時程：800V 架構延後（短期）vs 長期方向不變；禾伸堂 1,250V NP0 和信昌電高壓產品受惠時間節點。
  8. 中國廠商競爭邊界：三環集團開始供應比亞迪/蔚來，若打入 Google/AWS，對台廠中低容外溢訂單構成威脅（目前仍需 2 年以上）。

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