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供應鏈_記憶體

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tags供應鏈/記憶體, 技術/hbm, 技術/nand, 產業/記憶體, 產業/ai伺服器

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供應鏈_記憶體

供應鏈主軸

這頁整理 2026 記憶體超級循環的 DRAM／HBM／NAND 供應鏈，涵蓋原廠、SSD 控制器、模組廠、利基 NAND、buffer DRAM 與上游設備。摩根士丹利 260702_ms_nand-industry（2026-07-02）指 AI 使 NAND 供給緊俏延續至 2027（2027 sufficiency -9%），戰術上偏好 DRAM 勝 NAND（LTA 條件較佳、HBM4E 產能擠壓）；大和 大和 韓國記憶體產業電話會議摘要（2026-07-02）強調 capex 增加 ≠ 產能大幅增加，並看好 NAND（inference + KV Cache）。

結構圖

flowchart LR
    EQ[上游設備 AMAT/LAM/TEL/ASML/BESI] --> DRAM[DRAM/HBM 原廠]
    EQ --> NAND[NAND 原廠]
    DRAM --> HBM[HBM]
    HBM --> GPU[NVIDIA GPU]
    NAND --> CTRL[SSD 控制器]
    CTRL --> ESSD[eSSD / KV SSD / boot drive]
    BUF[Buffer DRAM 南亞科] --> ESSD
    ESSD --> CSP[hyperscaler / AI 伺服器]
    MODULE[模組廠] --> ESSD
    classDef eq fill:#ffc9c9,stroke:#e03131,color:#111;
    classDef mem fill:#c3fae8,stroke:#0ca678,color:#111;
    classDef ctrl fill:#ffd8a8,stroke:#e8590c,color:#111;
    classDef cust fill:#fff3bf,stroke:#f08c00,color:#111;
    class EQ eq;
    class DRAM,NAND,HBM,BUF,MODULE mem;
    class CTRL,ESSD ctrl;
    class GPU,CSP cust;

圖說：記憶體循環由上游設備 → DRAM/HBM 與 NAND 原廠 → HBM 接 GPU、NAND 接控制器/模組成 eSSD/boot drive → hyperscaler；buffer DRAM（南亞科）為 SSD 必要環節。

AI 記憶體階層演進

圖（統一證，2026-05-20）：傳統記憶體階層（Cache/DRAM/HDD）→ AI 時代演進為 Near memory（SRAM/HBM） + Main memory（HBM） + Expansion memory（AI SSD） + Local SSD data cache + Networked data lakes；短期 latency 方案：CXL=optane；Cache(SRAM)CIM；HBF 定位於 HBM 與 SSD 之間（SanDisk × SK Hynix 戰略合作）。

市場與需求

指標2025 / 2026e / 2027e 資料點投資含義
全球 NAND sufficiency2%／-15%／-9%（負值＝短缺）2026–27 持續短缺，支撐 ASP
AI 占 NAND 需求18%／32%／41%AI 結構性拉動，非景氣循環
AI NAND 需求（EB）205／400／609三年約 3x
3Q26 漲價TLC eSSD +30% QoQ；server DRAM +20%；DDR3/4 +30–40%伺服器級強、消費級近天花板
HBM $/Gb 周期2026全年 2.12（高檔盤整）→ 2028全年 $1.34（供給過剩去庫存）統一證估 2028 為 HBM 空頭修正期
NAND 終端漲幅1TB TLC PCIe SSD：2025-11 305.3（+2.8x）大容量高階品漲幅最陡
NAND 下半年漲幅2026 下半年合計 +40%（延遲反映）；每季 +20%NAND 滯後反映漲價
DRAM 每季漲幅每季 ~+15%供應率 Fulfill rate 僅滿足 ~70% 需求
DDR4 supply/demand gap2H26: 19–20%（5/28 MS）；2027–28: 18–20%Micron 台灣設備移轉 + HX Wuxi DDR4→DDR5 轉換
DDR4 3Q26 漲價~20%（5/28 MS 估計）SiCap/SLC NAND 為南亞科/華邦電再評價觸媒
DRAM→HBM trade ratio約 3:1（HBM4E 更高）HBM 排擠標準 DRAM 供給

DDR4 供需圖（舊式記憶體）

圖（MS，2026-05-28）：DDR4 季度供需（1Q23–3Q28e）——2H26 undersupply ratio 達 -1920%，2027-28 維持 -1820%，反映 Micron 台灣產線設備移轉（→美國）+ SK Hynix Wuxi DDR4/LPDDR4 轉 DDR5 後端雙重供給壓縮。

圖（MS，2026-05-28）：DDR4 8Gb 1Gx8 2666Mbps 即期價格飆至 US13.00（Jan 2026 資料點）——spot/contract 背離反映短缺正在反映到現貨但合約價格跟進緩慢，漲價動能仍在。

各環節廠商

環節主要用途觀察廠商技術拉動
DRAM / HBM 原廠標準型 DRAM、HBM005930.KR(samsung)、000660.KR(sk_hynix)、MU.US(micron)技術_HBM高頻寬記憶體
NAND 原廠eSSD、KV SSD285A.JP(kioxia)、SNDK.US(sandisk)、MU.US(micron)、005930.KR(samsung)技術_NAND快閃記憶體
SSD 控制器boot drive、eSSDSIMO.US(silicon_motion)（慧榮）、8299_群聯（櫃）（群聯）、2379_瑞昱（市）（瑞昱）、Fadu（韓）技術_NAND快閃記憶體
模組廠SSD 模組Longsys 江波龍（301308.SZ）、8299_群聯（櫃）—
利基 NANDSLC/MLC2337_旺宏（市）（旺宏）、2344_華邦電子（市）（華邦）、GigaDevice（603986.SS）—
Buffer DRAMSSD 快取2408_南亞科技（市）—
MLCC / 被動記憶體循環外溢009150.KR(semco)、2327_國巨（市）供應鏈_被動元件

技術 → 需求對照

技術主要拉動重點觀察
技術_HBM高頻寬記憶體DRAM 產能、CoWoS、hybrid bonding 設備trade ratio 3:1；2027 HBM4E 漲價
技術_NAND快閃記憶體eSSD、KV Cache、boot drive、控制器TLC eSSD +30% QoQ；Super High IOPS 耗 3x 產能

競爭格局 / 觀察重點（投資視角）

  1. HBM 市占重排：大和估 2027 三星回第一（~50%）、美光 ~20%、海力士回落；受惠 HBM4E logic die 製程（N4/N3）領先者。
  2. DRAM 優於 NAND（戰術）：MS 偏好 DRAM（LTA 條件佳、EUV 限供、HBM4E 擠壓）；NAND 偏好原廠勝模組廠（毛利韌性）。
  3. capex ≠ 擴產：廠商 capex 多用於製程升級/新技術（HBM hybrid bonding、新 DRAM 架構），嘉惠設備商 AMAT、LAM、TEL、ASML、BESI。
  4. 2028 供給變數（YMTC）：長江存儲 Fab4/5 若全投 NAND、五廠齊發可達全球 24% 市占；加速 greenfield 恐轉過剩。
  5. 台廠卡位：控制器（慧榮 SIMO boot drive 100%、群聯）、利基 SLC/MLC（旺宏、華邦）、buffer DRAM（南亞科）為 AI 儲存受惠環節。
  6. Cisco 入股南亞科：思科（Cisco）投資 2408_南亞科技（市），目的為搶佔 AI 伺服器 DRAM（eSSD buffer DDR4）供應鏈（統一證，2026-05-20）。
  7. LTA 護城河：原廠與 hyperscaler 簽 3–5 年 LTA，2028 出貨 40–50% 有 LTA 覆蓋，支撐評價與股東回饋。

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來源

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本次 ingest 更新（2026-08-22）

  • DIGITIMES 報告整理記憶體漲勢與大廠策略，新增觀察重點為供需緊張、產品組合與資本支出配置；個別價格與產能數字仍應以公司法說及正式財報交叉驗證。
  • 中磊報告另指出記憶體供應緊張可能延續至 2027 年，對網通設備毛利與出貨形成約束，屬券商轉述／estimate，信心中。
  • 來源：記憶體漲勢不停，大廠策略解析 - DIGITIMES、中磊(5388B_買進)-CTBC260817。

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