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技術_玻璃基板

Properties2
tags技術/玻璃基板, 供應鏈/先進封裝載板, 環節/ic載板, 產業/半導體, 產業/ai伺服器
aliases玻璃基板, Glass Substrate, TGV, Through Glass Via, CoPoS, 3DGS, LIDE, 玻璃載板, T-glass

閱讀時間約 32 分鐘

技術_玻璃基板

定義

玻璃基板（Glass Substrate）是以玻璃為基材的封裝載板技術。相對於有機 技術_ABF載板，玻璃基板具有 CTE 接近矽、低介電損耗、適合大尺寸面板等優勢，被視為下一世代封裝載板的替代候選，可用於替代 ABF 載板與矽中介層。應用領域涵蓋先進封裝、CPO 光電共封裝、6G 射頻等。

主要資料來源：報告_其他_玻璃基板_20260511（國金證券「玻璃基板行業深度」，2026-05-11；分析師李陽 S1130524120003）。

Morgan Stanley（2026-07-26）補充，顯示器供應鏈廠商正透過 TGV 與鍍銅製程切入玻璃核心基板；Lens Tech 與 Intel 合作案的試產目標為 2026 年底、較具意義的出貨可能落在 2H27，屬券商查核與估計。報告同時指出，真正瓶頸偏向高密度／高精度的製程控制與良率，而非單純設備能力。

圖解

CoWoS / HBM 主力客戶包攬產能：NVIDIA、Google、AMD、Amazon 共占 90%/92%（國金引 Epoch AI 2025）。玻璃基板的需求動能來自 AI 算力產能不足、TSMC 推動封裝方案迭代。

Morgan Stanley（2026-07-26）對玻璃核心基板進度的判斷：TGV／鍍銅已由顯示器供應鏈廠商積極切入，但量產價值取決於高密度製程控制與良率改善。

flowchart LR
    A[玻璃原片<br/>無鹼硼矽玻璃<br/>康寧 / AGC / NEG / 肖特] --> B[TGV 製程<br/>主流 LIDE<br/>雷射誘導蝕刻]
    B --> C[孔內填充<br/>金屬化 + 電鍍 + RDL]
    C --> D[玻璃基板成品]
    D --> E1[Intel 3DGS<br/>自製]
    D --> E2[三星電機 T-glass<br/>供 Apple]
    D --> E3[TSMC CoPoS<br/>對外服務]
    E1 --> F1[Intel Xeon 6+<br/>Clearwater Forest]
    E2 --> F2[Apple Baltra<br/>AI server]
    E3 --> F3[未公開客戶]

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    classDef core fill:#a5d8ff,stroke:#222,color:#000
    classDef customer fill:#fff3bf,stroke:#222,color:#000

    class A material
    class B,C process
    class D,E1,E2,E3 core
    class F1,F2,F3 customer

技術原理

三段製程

  1. 原片：採用無鹼硼矽玻璃（不同於建築玻璃），要求 CTE 接近矽、低介電損耗。全球供應集中於美國、日本，主要玩家為康寧、旭硝子、電氣硝子、肖特
  2. TGV 通孔（Through Glass Via）：主流方法為雷射誘導蝕刻 LIDE，涉及雷射設備與蝕刻液（蝕刻液需與玻璃配方配套定制）
  3. 孔內填充：包含金屬化、電鍍、RDL 布線。核心難點在於無空洞、無縫隙的銅填充

TSV vs TGV

  • TSV = Through Silicon Via，傳統矽中介層技術（CoWoS 採用）
  • TGV = Through Glass Via，玻璃基板替代方案（CoPoS / 3DGS 採用）
  • TGV 替代 TSV 後，材料端增量主要在上游玻璃原片與加工輔材

TGV Via 三種形態（SKC US10903157）

類型幾何特徵說明
圓柱型（Cylindrical）CV1 ≈ CV2，最小徑 CV3 在開口端上下孔徑相近
截錐型（Truncated Pyramidal）CV1 ≠ CV2，CV3 = 較小開口端雷射蝕刻常見形態
桶型（Barrel）CV3 位於 CV1/CV2 之間，CV3 < max(CV1, CV2)雙面蝕刻交會點縮頸

玻璃-金屬附著（決定銅填充可靠性）

電鍍銅與玻璃面天然附著力低，需二擇一或組合：

  • 乾法（sputtering）：Ti/Cr/Ni seed layer，錨定效應
  • 濕法（primer）：胺基官能基化合物 + 奈米顆粒（平均粒徑 ≤ 150 nm）；MEC Inc. CZ 系列為代表
  • 附著強度標準：剝離 ≥ 3 N/cm、鍵合 ≥ 4.5 N/cm；ASTM D3359 ≥ 4B

關鍵參數 / 判斷指標

指標意義觀察重點
CTE 匹配度與矽片熱膨脹係數差異玻璃 CTE 接近矽，優於有機 ABF
介電損耗高頻訊號性能玻璃低於矽基，適合高頻 / 6G
翹曲（warpage）大尺寸面板良率玻璃比有機載板穩定
表面粗糙度 Ra精細線路前提≤ 10 angstroms（SKC US10903157）；低 Ra 使精線成形更穩定，有機 ABF 無法達到
精細線路線寬/間距單位面積訊號密度< 4 μm；最小可達 1–2.3 μm（SKC 實證）；矽 interposer 典型 2–5 μm；有機 ABF > 8 μm
玻璃基板厚度整體封裝高度100–500 μm（典型）；整體封裝基板 120–2,000 μm
面板尺寸 → 利用率單次產出量310×310mm 利用率 45→81%（vs 圓晶圓）；可擴展至 515×510mm、750×620mm
單次產出量量產經濟性相當於 12 吋晶圓 4-8 倍
LIDE 設備產能量產瓶頸雷射設備供應
銅填充良率製程瓶頸無空洞填充技術門檻

玻璃載板金屬化製程設備（六大步驟）

來源：TPCA/金屬工業研究發展中心（報告_呂紹旭_玻璃載板FOPLP_20260508，2026-05）

步驟製程主要技術挑戰全球主要設備供應商
1TGV 雷射改質玻璃脆性 → 微裂痕；孔徑 <30μm 熱影響區控制嚴格；波長選擇與實時功率調整DISCO（日）、Orbotech（以）、MKS（美）、GLW.US(corning)（美）、三星電子（韓）
2蝕刻通孔玻璃化學惰性高；蝕刻速率難穩定；側蝕 / 孔徑不均MEC Company Ltd.（日）、RENA（德）、Manz（德）
3AOI 光學檢查玻璃高透明性 → 影像對比不足；需 3D 成像 + AI 演算法Camtek（以）、Orbotech（以）、SCREEN（日）、Mycronic（美）
4種子層鍍膜（PVD）玻璃非導電性 → 金屬附著力不足；鍍膜厚度控制數十奈米Evatec（瑞士）、Applied Materials（美）、ULVAC（日）
5電鍍銅TGV 深寬比高 → 電流陰影效應；孔內空洞（void）MacDermid Alpha（美）、UYEMURA（日）、MKS Atotech（德）
6研磨表面平坦化，玻璃高硬度Applied Materials（美）、DISCO（日）、Okamoto（日）

目前全球設備供應高度集中於美日德以，台灣設備廠（雷射加工、蝕刻、AOI、PVD、電鍍、研磨各環節均有廠商投入）仍處初期探索，缺乏系統性試量產驗證平台。

技術瓶頸 / 風險

  • 原片供應集中：康寧（美）、AGC / NEG（日）、肖特（德）四家集中供應，國產替代空間大
  • TGV 良率：雷射誘導蝕刻參數 + 蝕刻液配方需與玻璃配方配套；<30μm 孔徑的熱影響區控制為核心難題
  • 銅填充無空洞：技術門檻高；深寬比高 TGV 對電鍍均勻性要求極高
  • 量產時程不確定：INTC.US(intel)、AAPL.US(apple)、2330_台積電（市） 各家時程口徑不同
  • 供應鏈設備集中：六大製程設備仍依賴國際大廠（見上方製程表），後進者進入門檻高

量產時程並列（國金證券，2026-05-11， 報告_其他_玻璃基板_20260511；TPCA，2026-05，報告_呂紹旭_玻璃載板FOPLP_20260508）

三家大廠玻璃基板量產時程口徑不同：

  • INTC.US(intel)：累計 >10 億美元投入亞利桑那州；2026-01 展示 Clearwater Forest（首款玻璃核心基板 Server CPU）；2026-04 3DGS 動工，年產 ~7 萬基板；2026-2030 大規模商用窗口
  • AAPL.US(apple)：Baltra AI server 晶片啟動玻璃基板測試；三星電機供 T-glass；三星電機目標 2027 後量產（非 Apple 出貨時點）
  • 2330_台積電（市）：2026Q1 法說提 CoPoS，「未來幾年內量產」

三家時程窗口不同，反映玻璃基板仍處於早期量產推進階段（maturity: early）。

TPCA/金屬中心（2026-05）產業共識時程：

  • 2027 年起：部分高階應用小量導入
  • 2028 年起：AI/HPC 高階晶片封裝開始導入
  • 2030 年後：逐步放量，IC 載板市占率目標 10-15%
gantt
    title 玻璃基板量產時程（依大廠口徑）
    dateFormat YYYY-MM
    section Intel
    亞利桑那州累計投入    :done,    2024-01, 2026-04
    3DGS 動工            :active,  2026-04, 2030-12
    大規模商用窗口        :         2026-01, 2030-12
    section Apple
    Baltra 啟動測試      :active,  2026-05, 2027-01
    三星電機目標量產      :         2027-01, 2030-12
    section TSMC
    CoPoS 未來量產       :         2027-01, 2030-12

關鍵廠商

顯示器供應鏈切入進度（Morgan Stanley，2026-07-26）

廠商路線時程／狀態信心水準
Lens Tech（300433.SZ，未建頁）與 Intel 合作玻璃核心＋TGV2026 年底試產線；2H27 可能較具意義出貨中
Innoux（3481.TW，未建頁）與 TSMC／Ibiden 玻璃核心專案2028H2–2029 量產（報告查核）中低
BOE（000725.SZ，未建頁）玻璃核心 ABF 全流程2027 建置產能、2028 量產條件式規劃中低
AUO（2049.TW，未建頁）LEO 天線／Micro LED 光模組玻璃尚無明確量產時程低

關係邊界

上表的合作對象、量產時程與出貨判斷均來自 Morgan Stanley 查核／推估；本次不視為已確認訂單或公司正式指引。

上游玻璃原片（國際巨頭）

環節廠商角色
玻璃原片GLW.US(corning) Corning（美國）國際巨頭；GLASSBRIDGE 光纖連接器（ECTC 2026）
玻璃原片旭硝子 AGC（日本，未建頁）國際巨頭
玻璃原片電氣硝子 NEG（日本，未建頁）國際巨頭
玻璃原片肖特 Schott AG（德國，未建頁）國際巨頭
玻璃基板封裝SKC Co., Ltd.（韓國 KRX:011790，未建頁）2019 年即申請玻璃基板封裝 core 層美國專利（US10903157，2021 授權）；玻璃基板業務後獨立為子公司 Absolics Inc.

上游玻璃原片 / 加工（中國 A 股潛在受惠，純文字列出）

以下廠商為國金證券 2026-05-11 報告點名的中國 A 股潛在受惠標的，本次 ingest 不主動建公司頁，留待後續 ingest 該主題的補充資料時再評估建頁。

  • 凱盛科技（A 股，未建頁）：顯示材料國產龍頭，TGV 通孔玻璃技術儲備充足。顯示材料 2025 營收 46.3 億人民幣（+31.4% YoY），客戶含京東方、三星、LGD、亞馬遜；應用材料含球形二氧化矽、鈦酸鋇（MLCC）等
  • 旗濱集團（A 股，未建頁）：浮法玻璃 / 光伏玻璃龍頭（產能均位列行業前三）。2025-08 與某「國內著名自主晶片科技公司」合作研發晶片封裝玻璃
  • 戈碧迦（A 股，未建頁）：特種玻璃材料。玻璃基板已向多家國內半導體廠商送樣（用於 TGV 封裝）；玻璃載板已通過多家半導體廠商驗證（含 2.5D/3D 先進封裝）；參股 TGV 公司熠鐸科技
  • 沃格光電（A 股，未建頁）：玻璃精加工。掌握 TGV 全製程（薄化、鍍膜、TGV 微孔、電鍍、多層線路）；TGV 微孔孔徑最小 5μm、深徑比 100:1；已建首條年產 10 萬平米 TVG 產線；1.6T 光模塊玻璃基載板小批量送樣；成都沃格 8.6 代線預計 2026 量產，月產能 2.4 萬片

中段製程（中國 A 股，純文字列出）

  • 天承科技（A 股，未建頁）：TGV 填孔電鍍液國產替代核心供應商；客戶含京東方、三疊紀、玻芯成；對標英特格、摩西湖、杜邦、樂思化學、石原、巴斯夫等國際廠商
  • 江化微（A 股，未建頁）：半導體用湿電子化學品；TGV 蝕刻相關產品含氫氟酸、氟化銨、矽腐蝕液、清洗劑
  • 德邦科技（A 股，未建頁）：玻璃基板封裝用光固化膠、晶圓劃片膜（已應用於 CIS 晶片玻璃基板封裝）

玻璃基板量產推手

環節廠商角色
自製玻璃基板INTC.US(intel)亞利桑那州 3DGS 量產線、Clearwater Forest 首款產品
TGV 製程供應三星電機 Samsung Electro-Mechanics（未建頁）T-glass 供 Apple Baltra
CoPoS 平台2330_台積電（市）對外服務模式

下游 / 終端

環節廠商角色
玻璃基板 Server CPUINTC.US(intel)Xeon 6+ Clearwater Forest（自家用）
AI server 晶片AAPL.US(apple)Baltra（自家用）
AI GPU 未來路線NVDA.US(nvidia)是否轉用待觀察，本次來源未直接點到

應用場景

  1. 先進封裝：在 TSMC CoPoS 方案中替代矽中介層，將圓形面板替換為更大尺寸矩形玻璃面板。以 310×310mm 為例，面積利用率可由 45% 提升至 81%；擴展至 515×510mm、750×620mm 仍保持同等水平，單次產出相當於 12 吋晶圓 4-8 倍

  2. CPO 光電共封裝：替代矽集光電整合。矽的高介電常數與損耗正切在高頻應用會帶來較大損耗。玻璃低介電損耗 + 接近矽的 CTE 表現出更好的熱穩定性，提升電氣性能、降低寄生效應

  3. 6G 射頻：玻璃基板降低高頻傳輸損耗、提升器件 Q 值。長電科技 TGV 射頻 IPD 工藝驗證的 3D 電感在 Q 值等關鍵指標上較同等電感值平面結構提升接近 50%

ECTC 2026 玻璃基板更新（定錨 + SimpleTechTrend）

AMAT TGV 失效機制（ECTC 2026）

Applied Materials（AMAT）在 ECTC 2026 揭示 TGV 的根本失效機制：

  • 失效原因：銅電鍍後在 recess（凹陷）處的熱脹應力集中→介面起裂（Cu CTE 17 vs 玻璃 3.5 ppm/°C，溫差 200°C 以上）
  • 解方：低 CTE + 低楊氏模量的 liner 材料（在 TSV 壁面形成緩衝層）
  • 效果：應力降低 -60%，TGV 可靠性顯著提升

此機制與 TSV（矽）的失效模式不同——玻璃的低模量反而使應力集中在金屬-玻璃介面更嚴重。

（來源：報告_先進封裝技術發展方向_20260722，定錨，2026-07-22）

Intel 大面積玻璃面板展示（ECTC 2026）

Intel 於 ECTC 2026 展示 510×515mm 24 層玻璃面板——目前業界公開的最大尺寸 / 最多層數玻璃封裝基板。

  • 代表 Intel 3DGS 技術路線已具備大面板多層製程能力
  • 但商業量産仍在探索：3DGS 亞利桑那廠年産能 ~7 萬基板（2026 年），針對 Intel 自家 Xeon 6+ Clearwater Forest 使用

Absolics 量産狀態

Absolics Inc.（SKC 子公司）是目前全球唯一具備量産設施並正在小量生産的玻璃基板廠商，位於喬治亞州米爾利奇維爾（Milledgeville）。

  • 小量生産中，尚未達到商業規模量産
  • 持有 SKC US10903157（2021 授權）等核心玻璃基板封裝 Core 層專利
  • 代表玻璃基板最早的商業落地時點，但規模化路徑仍不確定

TSMC CoPoS 玻璃芯 + 群創 + Ibiden 共同開發（JPCA 2026）

TSMC CoPoS 玻璃芯基板共同開發陣列在 JPCA 2026 浮現（來源：群益証券/JPMorgan 雙方獨立確認）：

  • TSMC：提供 CoPoS 封裝製程與設計規範
  • 群創光電（3481）：玻璃原片加工（TGV 通孔製程，顯示廠跨入封裝基板）
  • Ibiden（IBIE JP）：ABF 載板龍頭，負責下層有機基板整合

此三方合作代表 TSMC 在 CoPoS 玻璃基板路線上已找到本土化供應鏈方案，是 2027 試産目標的基礎。

2030 前量産困難

即便 TSMC CoPoS 試産計畫 2027 年進行，玻璃基板的全面規模量産面臨以下挑戰：

  • TGV 銅填充無空洞良率尚未穩定
  • 大面板（310×310mm→500×500mm）翹曲控制仍是未解難題
  • Absolics 是唯一量産廠且規模極小
  • AMAT TGV 失效機制（應力集中）需額外 liner 製程增加成本

業界共識：2030 年前玻璃基板難以大量量産，更可能的時程是 2031-2033 年。

ECTC 2026 玻璃基板光電整合（SimpleTechTrend，2026-06）

ECTC 2026 多篇論文確認玻璃基板進入「光電合一中介層」時代：

東北大學 TGV 銅填充（MCEP+HIP）

指標值
製程MCEP（低溫熱壓）+ HIP（熱等靜壓）
孔內無空洞✓（zero-void）
銅晶粒尺寸>45 µm（高導電性）
楊氏模量<60 GPa（比銅低 30%，緩衝 CTE 應力）

GF × Corning GLASSBRIDGE 可拆光纖連接器（ECTC 2026）

GFS.US(globalfoundries) 與 GLW.US(corning) 合作：

  • TE 插入損耗：1.44 dB/facet；TM：1.75 dB/facet；PDL ~0.3 dB
  • 功率承受：>280 mW
  • MT 相容可拆設計；Z-stop + 光刻基準完全被動對準
  • SiN SSC 同時匹配 9 µm 模場並抑制非線性吸收

Intel V-groove 玻璃耦合器（ECTC 2026）

INTC.US(intel)：450 次熱循環（-40 → +125°C），插入損耗 <0.7 dB，完全被動對準，與 3DGS 玻璃平台同製程。

Mitsubishi Electric Glass-IP + RDL + EML（ECTC 2026）

Mitsubishi Electric（未）：玻璃中介層同時處理電（TGV）、光（EML 覆晶）、熱（玻璃熱隔離），89 GHz 3-dB BW，106.25 Gbaud PAM4，TDECQ 2.37 dB。

Sumitomo Electric + FICT 準直鏡（ECTC 2026）

Sumitomo Electric（未）：off-axis 拋物面準直鏡，3 µm → 32 µm 擴束，3 µm 對位誤差僅 0.2 dB 損耗，FC 模組耦合 -2.30 dB。

資料來源：research_simpletechtrend_CPO矽光子ECTC2026_20260629

TGV 專家講座重點（2026-07-22）

來源：活動_TGV先進封裝技術講座_20260722（TGV 先進封裝技術研討講座，2026-07-22）

量產時程（講師視角，較保守）

技術路線業界樂觀估講師保守估
CoPoS（面板級先進封裝，首波）2028 量產2029-2030 大量量産（工程樣品 2027）
Glass Interposer（玻璃中介層）2028-20302030-2032

講師觀點：CoPoS 2028 量産是台積電官方目標，但從材料 + 設備 + 良率多角度看，大量量産最快 2029-2030；Glass Interposer 則須再往後推 2 年。

關鍵製程參數

  • 玻璃厚度甜蜜點：500µm（平衡強度 vs 加工性）。>700µm 難蝕刻、<300µm 翹曲嚴重
  • 蝕刻液選擇：鹼性蝕刻（KOH / NaOH）優於 HF；理由：穩定性高（HF 反應速率難控制）、選擇性好、環境友善，適合量産環境
  • 切割（Dicing）：TGV 製程中風險最高步驟——切割應力易在 TGV 孔周邊引發裂紋擴展，是良率損耗最大的節點；兩段式切割（粗 → 精）可有效降低殘留應力

良率挑戰：微裂紋偵測

  • 玻璃切割後的微裂紋（micro-crack）光學檢測困難（玻璃高透明性）
  • 超聲波成像是潛力偵測方法，但尚無商業化設備進入量産流程
  • 目前僅能在失效後追溯，無法做到全量在線 100% 偵測

廠商策略差異

廠商策略講師觀點
3037_欣興（市） Unimicron保守，先觀望認為市場定義不夠清晰，寧可等客戶拉貨再投資；無意領先
群創光電（3481） Chi Mei積極切入顯示廠出身的玻璃搬運、切割、製程管理能力是優勢；有機會在 TGV 前段加工取得領先
Kyocera（京瓷）以陶瓷基板替代指出陶瓷（LTCC）亦有 CTE 接近矽、低損耗特性，可與玻璃基板競爭部分應用場景

製程瓶頸共識

  1. TGV 銅填充良率（無空洞）：尚未穩定，是量産最核心瓶頸
  2. 大面板翹曲控制（≥310mm）：材料 CTE 控制仍是未解難題
  3. 切割裂紋：最易造成批量失效，製程窗口狹窄

元皓投資講座（2026-08-01）— 林奕盛

來源：活動_玻璃先進封裝_元皓投資Transcript_20260801（元皓投資半導體封裝專家講座，講者：林奕盛，TGV/FOCoS 十多年實務經驗，2026-08-01）

為什麼玻璃能取代有機 ABF / 矽中介層

問題有機 ABF矽中介層玻璃
CTE高、大面積翹曲嚴重接近矽，良好接近矽，良好
表面平整度崎嶇（filler 殘留）→ 訊號延遲平整平整
Dk/Df（訊號損耗）高（崎嶇如土壤）高（矽介電損耗）低（如水泥渠道）
尺寸擴展性較容易但翹曲受限 12 吋晶圓利用率可做 310×310→510×515 以上面板
線寬極限ABF filler 約 5µm → 無法做 <3µm 線路—PSPI 搭配可做至 1-2µm

矽晶圓不能用的根本原因：12 吋晶圓圓形利用率有限；以 H100 為例，12 吋晶圓可搭 28 顆晶片，510×515 面板可搭 105 顆，面積效率差 3.75x。

ABF + 玻璃 + PSPI 三層搭配的必要性：ABF filler 最小約 5µm，若強行做 1-3µm 細線路，filler 殘留會造成短路；因此細線路層必須用 PSPI（photosensitive polymer）做，粗層用 ABF，核心用玻璃，三者互補。

TSMC Corpus 結構（台積電 CoPoS 玻璃核心）

群創（Chi Mei）
  └─ 玻璃原片 + 表面酸洗 + 雷射改質（TGV 通孔成形）
       ↓
Ibiden
  └─ ABF 增層（上下雙層 build-up，客戶可選單邊）
       ↓
→ 合稱「玻璃核心載板」交付台積電
       ↓
台積電
  └─ PSPI 增層（細線路層，層數視需求）+ 晶片 bonding + compound 固化 + 切割
       ↓
  成品：Corpus（TSMC CoPoS package）

群創選定的原因：具備最長的玻璃 handling 經驗 + 面板廠大面積製程能力（TGV 良率最佳），700×700 尺寸 FOCoS 已量產（TEP 技術）。

TGV 核心製程流程（林奕盛版）

  1. 玻璃原片表面酸洗（清潔）
  2. 雷射改質（Laser Modification）→ 玻璃材質局部改變
  3. 酸洗蝕刻成形（KOH/NaOH 鹼性蝕刻，選擇比 100+，16 小時穩定）
  4. PVD seed layer（Sputter Ti + Cu，提供電場感應基底）
  5. 電鍍填孔（Electroplating，控制 void 關鍵步驟）
  6. CMP 研磨平坦化
  7. 堆疊 ABF build-up 層（交由 Ibiden）
  8. 交付台積電 → PSPI 細線路層 + 晶片 bonding + compound 固化 + 切割

五大技術難點（林奕盛列舉）

#難點說明
1散熱玻璃導熱性差，熱管理永遠是挑戰
2Cu-玻璃 CTE 不匹配銅 CTE 17 vs 玻璃 ~3.5 ppm/°C；電鍍填孔後玻璃邊緣可能產生 microcrack
3鈍化層附著玻璃惰性表面無法直接與銅附著，需額外處理
4玻璃脆性切割、翻轉等機械應力易造成碎裂
5TGV 良率幾萬孔中部分出現盲孔；電鍍未控制好產生 void（空洞）

改善方案

議題改善方案機制
Cu-玻璃附著Ti（鈦）緩衝層Ti 的 CTE 介於玻璃與銅之間，作為過渡層防止分層；PVD 效果最佳，化學法成本低適合初期驗證
蝕刻穩定性KOH/NaOH 鹼性蝕刻選擇比 100+、16 小時穩定；安全性優於 HF；業界已轉向此方向
切割良率兩段式切割 + Bessel Beam 雷射需一次切穿高分子/金屬/玻璃三種材料且零缺陷；兩段式降低殘留應力；Bessel beam 減少熱影響區
缺陷檢測超音波成像Microcrack 為主要良率殺手；光學方法因玻璃透明性不足；超音波可能偵測次表面缺陷

時程估計（林奕盛個人觀點，較保守）

階段時程說明
材料設備驗證2026目前進行中
CoPoS（FOPLP，第一代）量產2028 年可能台積電官方目標，講師認為可能性較有機會（若供應鏈配合）
Glass Interposer 成熟2030-2032較市場共識保守；難點更多
Glass Core Substrate2030 以後時程類似或略晚於 Interposer

與上一場 TGV 講座（2026-07-22）的時程對比

2026-07-22 講座：CoPoS 2029-2030（大量量産）、Glass Interposer 2030-2032。 2026-08-01 林奕盛：CoPoS 2028 可能量産（較樂觀一些），Glass Interposer 2030-2032。 兩者在 Glass Interposer 時程上一致，但 CoPoS 估計略有分歧（1-2 年差異），反映技術難點判讀不同。

相關技術

供應鏈

→ 供應鏈_先進封裝載板

來源

本次 ingest 更新（Morgan Stanley，2026-08-14）

景碩載板廠觀點（2026-07-30）

3189_景碩（市）將玻璃相關路線拆成四種不同用途，避免把「玻璃基板」視為單一技術：

路線玻璃角色景碩觀察時程／成熟度主要瓶頸
CoPoS暫時 carrier，封裝後移除約 2029，最先發生結構相對單純，不涉及 TGV
Glass core取代有機載板 core layer約 2030 起少量產品嘗試鑽孔、鍍銅、microcrack、易碎
Glass interposer取代 silicon interposer更晚，晶圓代工短期不主推生態與可靠度驗證
Glass substrate玻璃直接作完整載板最晚，可能先限 low-pin-count PMICITO／厚銅、機械強度與良率

載板廠歡迎 Glass core，因可降低對玻纖布依賴並提高單位產值；但景碩同時研發陶瓷核心，原因是陶瓷剛性較高、可緩解玻璃易碎與楊氏係數不足，代價是供應鏈與客戶熟悉度較低。此為公司／產業訪談觀點，屬中信心，需等待量產 SKU 驗證。

來源：活動_景碩法說電話會議_20260730（2026-07-30）

相關頁面

Morgan Stanley 2026-08 更新

  • 260818_ms_inx 與 260820_ms_2h-aug-panel-px 將玻璃核心基板定位為仍待技術、良率與供應鏈突破的早期方案；Innolux 的相關機會尚未形成可確認的量產貢獻。
  • 投資判斷：應追蹤樣品／驗證、翹曲與良率、合作夥伴及量產時間，不宜把研究情境寫成訂單或確定量產。

關係圖譜

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